1.一种具有组分渐变的背势垒结构的GaNHEMT器件，包括SiC衬底层，其特征在于，所述SiC衬底层的上方连接有GaN缓冲层，所述GaN缓冲层上方连接有第一AlGaN背势垒层，所述第一AlGaN背势垒层的上方连接有GaN沟道层，所述GaN沟道层的上方连接有AlN插入层，所述AlN插入层上方连接有第二AlGaN势垒层，所述第二AlGaN势垒层两侧相对连接有源极与漏极，所述第二AlGaN势垒层靠近中部位置安装有栅极；

所述第二AlGaN势垒层上连接有Si3N4钝化层；

其中栅极包括栅帽以及固定在栅帽中部的栅脚，且栅帽与栅脚之间相互垂直。

2.根据权利要求1所述的一种具有组分渐变的背势垒结构的GaNHEMT器件，其特征在于，所述第一AlGaN背势垒层靠近GaN沟道层的一侧Al成分为0，并且向远离GaN沟道层一侧线性增加，且第一AlGaN背势垒层中Al成分增加的范围为0.05‑0.2，且所述第一AlGaN背势垒层的厚度为10nm。

3.根据权利要求2所述的一种具有组分渐变的背势垒结构的GaNHEMT器件，其特征在于，所述GaN缓冲层厚度为0.8‑2μm。

4.根据权利要求2所述的一种具有组分渐变的背势垒结构的GaNHEMT器件，其特征在于，所述GaN沟道层的厚度为200nm‑500nm。

5.根据权利要求4所述的一种具有组分渐变的背势垒结构的GaNHEMT器件，其特征在于，所述AlN插入层厚度为1nm。

6.根据权利要求5所述的一种具有组分渐变的背势垒结构的GaNHEMT器件，其特征在于，所述第二AlGaN势垒层中Al组分固定为0.2‑0.3，其厚度为20nm。

7.根据权利要求1所述的一种具有组分渐变的背势垒结构的GaNHEMT器件，其特征在于，所述第二AlGaN势垒层上表面蚀刻有凹槽，凹槽深度为10nm，栅极贯穿Si3N4钝化层嵌入在凹槽中。

8.根据权利要求7所述的一种具有组分渐变的背势垒结构的GaNHEMT器件，其特征在于，所述Si3N4钝化层厚度为60nm。

9.根据权利要求7所述的一种具有组分渐变的背势垒结构的GaNHEMT器件，其特征在于，所述栅极长度Lg＝0.1μm，其栅帽长度为1μm，栅帽宽度为0.5μm，栅脚高度为0.2μm。

10.根据权利要求7所述的一种具有组分渐变的背势垒结构的GaNHEMT器件，其特征在于，所述栅极到源极的距离Lgs＝1.1μm，栅极到漏极的距离Lgd＝1.6μm，源极和漏极均为欧姆接触，栅极为肖特基接触。