1.一种具有T型栅结构的GaN基HEMT器件，包括衬底层，其特征在于，所述衬底层的上方连接有缓冲层，所述缓冲层的上方连接有AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层的上方连接有GaN帽层，所述GaN帽层的左右两侧相对连接有源极与漏极，所述GaN帽层顶部连接有栅极，栅极与GaN帽层之间形成肖特基接触；

所述GaN帽层的顶部连接有SiN钝化层，SiN钝化层左右布设在栅极两侧，且与栅极之间具有一段距离；

所述栅极包括栅帽，所述栅帽的中心位置固定连接有栅脚，且栅帽与栅脚之间相互垂直。

2.根据权利要求1所述的一种具有T型栅结构的GaN基HEMT器件，其特征在于，所述衬底层材质为SiC、Si、蓝宝石中的一种，衬底层厚度设置为20‑100μm。

3.根据权利要求2所述的一种具有T型栅结构的GaN基HEMT器件，其特征在于，所述缓冲层材质为GaN、AlGaN、InAlGaN或InGaN中的任意一种，缓冲层厚度设置为0.8～2μm。

4.根据权利要求3所述的一种具有T型栅结构的GaN基HEMT器件，其特征在于，所述GaN帽层厚度设置为3nm。

5.根据权利要求4所述的一种具有T型栅结构的GaN基HEMT器件，其特征在于，所述SiN钝化层厚度设置为50nm。

6.根据权利要求1所述的一种具有T型栅结构的GaN基HEMT器件，其特征在于，所述栅极到源极的距离Lsg＝1μm，栅极到漏极的距离Lgd＝3μm。

7.根据权利要求6所述的一种具有T型栅结构的GaN基HEMT器件，其特征在于，所述栅极长度Lg＝0.2μm，栅帽长度为0.4μm，栅帽厚度为0.15μm，栅帽宽度为1mm，栅脚高度为0.1μm。

8.根据权利要求7所述的一种具有T型栅结构的GaN基HEMT器件，其特征在于，所述源极和漏极均为欧姆接触。