1.一种具有倾斜场板结构的GaN基HEMT器件，包括衬底层(1)，其特征在于，所述衬底层(1)的上方连接有缓冲层(2)，所述缓冲层(2)的上方连接有AlGaN势垒层(3)，所述AlGaN势垒层(3)的上方连接有GaN帽层(4)，所述GaN帽层(4)的左右两侧相对连接有源极(5)与漏极(6)，所述GaN帽层(4)的顶部连接有SiN钝化(7)，且所述GaN帽层(4)顶部连接有栅极(8)，栅极(8)与GaN帽层(4)之间形成肖特基接触；

所述栅极(8)引入有场板(9)，场板(9)朝向漏极(6)一侧设置为斜面，且斜面与场板(9)靠近栅极(8)一侧的水平线形成的夹角为锐角。

2.根据权利要求1所述的一种具有倾斜场板(9)结构的GaN基HEMT器件，其特征在于，所述栅极(8)初始长度为Lg＝0.5μm。

3.根据权利要求2所述的一种具有倾斜场板(9)结构的GaN基HEMT器件，其特征在于，所述场板(9)的介质厚度t的范围值为50‑600nm，倾斜角度θ的范围值为13°‑80°。

4.根据权利要求2所述的一种具有倾斜场板(9)结构的GaN基HEMT器件，其特征在于，所述栅极(8)到源极(5)的距离Lsg＝1μm，栅极(8)到漏极(6)的距离Lgd＝3μm。

5.根据权利要求4所述的一种具有倾斜场板(9)结构的GaN基HEMT器件，其特征在于，所述衬底层(1)材质为SiC、Si、蓝宝石中的一种，衬底层(1)厚度设置为20‑100μm。

6.根据权利要求5所述的一种具有倾斜场板(9)结构的GaN基HEMT器件，其特征在于，所述缓冲层(2)材质为GaN、AlGaN、InAlGaN或InGaN中的任意一种，缓冲层(2)厚度设置为0.8‑

2μm。

7.根据权利要求6所述的一种具有倾斜场板(9)结构的GaN基HEMT器件，其特征在于，所述GaN帽层(4)厚度为3nm。

8.根据权利要求7所述的一种具有倾斜场板(9)结构的GaN基HEMT器件，其特征在于，所述栅极(8)与GaN帽层(4)之间形成肖特基接触，源极(5)、漏极(6)均为欧姆接触。

9.根据权利要求8所述的一种具有倾斜场板(9)结构的GaN基HEMT器件，其特征在于，所述SiN钝化(7)层厚度为75nm。