1.一种具有侧壁场板的凸型栅增强型GaN基HEMT器件，包括衬底(101)，所述衬底(101)上依次设有缓冲层(102)、沟道层(103)，其特征在于，所述沟道层(103)为凸台型，凸台的顶部和下部平面上设有势垒层(104)，所述凸台的侧壁和势垒层(104)的上部设有栅介质层(105)，所述凸台顶部的栅介质层(105)和凸台侧壁的栅介质层(105)的外侧设有栅电极(106)，所述凸台下部平面上的势垒层(104)上设有源漏电极(107)。

2.根据权利要求1所述的一种具有侧壁场板的凸型栅增强型GaN基HEMT器件，其特征在于，所述凸台的高度为0.5—1μm。

3.根据权利要求1所述的一种具有侧壁场板的凸型栅增强型GaN基HEMT器件，其特征在于，所述衬底(101)的材质为蓝宝石、Si、SiC或GaN。

4.根据权利要求1所述的一种具有侧壁场板的凸型栅增强型GaN基HEMT器件，其特征在

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于，所述沟道层(103)的材质为半绝缘GaN，所述半绝缘GaN电子浓度为10 cm 以下。

5.根据权利要求1所述的一种具有侧壁场板的凸型栅增强型GaN基HEMT器件，其特征在于，所述势垒层(104)的材质为AlxGa1‑xN，式中元素组分x介于0和1之间。

6.一种具有侧壁场板的凸型栅增强型GaN基HEMT器件，包括衬底(101)，所述衬底(101)上依次设有缓冲层(102)、沟道层(103)，其特征在于，所述沟道层(103)为凸台型，沟道层(103)的外侧依次设有势垒层(104)、栅介质层(105)，凸台外侧的栅介质层(105)的外侧设有栅电极(106)，所述凸台下部平面的势垒层(104)的上设有源漏电极(107)。

7.根据权利要求6所述的一种具有侧壁场板的凸型栅增强型GaN基HEMT器件，其特征在于，所述凸台的高度为0.5—1μm。

8.根据权利要求6所述的一种具有侧壁场板的凸型栅增强型GaN基HEMT器件，其特征在于，所述衬底(101)的材质为蓝宝石、Si、SiC或GaN。