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专利号: 2024204595195
申请人: 成都冈秦层拜电子科技有限公司
专利类型:实用新型
专利状态:已下证
更新日期:2024-12-10
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种瞬时抗高气压的大腔体芯片壳体结构,其特征在于:包括芯片封装主体(1)、凸台支撑块(2)、边沿安装框(3)、封装盖板(4)、适配槽口(5)和安装片(6);

所述凸台支撑块(2)设置于芯片封装主体(1)的顶部,所述边沿安装框(3)设置于芯片封装主体(1)顶部的边沿处,所述封装盖板(4)设置于边沿安装框(3)的顶部;

所述凸台支撑块(2)的顶部与封装盖板(4)的底部接触,所述适配槽口(5)设置于边沿安装框(3)内侧的顶部,所述适配槽口(5)与封装盖板(4)卡合匹配,所述安装片(6)设置于芯片封装主体(1)的两侧。

2.根据权利要求1所述的一种瞬时抗高气压的大腔体芯片壳体结构,其特征在于:所述边沿安装框(3)和封装盖板(4)的连接缝隙处设有平行焊缝点(8),所述平行焊缝点(8)位于适配槽口(5)上。

3.根据权利要求1所述的一种瞬时抗高气压的大腔体芯片壳体结构,其特征在于:所述芯片封装主体(1)的两侧均设有引脚(7),所述引脚(7)呈均匀分布状。

4.根据权利要求1所述的一种瞬时抗高气压的大腔体芯片壳体结构,其特征在于:所述芯片封装主体(1)与边沿安装框(3)互为一体,所述边沿安装框(3)与封装盖板(4)相适配。

5.根据权利要求1所述的一种瞬时抗高气压的大腔体芯片壳体结构,其特征在于:所述安装片(6)的中心处设有插接孔(9),所述安装片(6)的底部与芯片封装主体(1)的底部齐平。

6.根据权利要求1所述的一种瞬时抗高气压的大腔体芯片壳体结构,其特征在于:所述芯片封装主体(1)和边沿安装框(3)的连接处设有辅助支撑槽(10),所述辅助支撑槽(10)呈竖直状。

7.根据权利要求1所述的一种瞬时抗高气压的大腔体芯片壳体结构,其特征在于:所述凸台支撑块(2)的数量不少于两个,所述封装盖板(4)的顶部设有第一防水涂层(11),所述芯片封装主体(1)的外侧设有第二防水涂层(12)。

8.根据权利要求1所述的一种瞬时抗高气压的大腔体芯片壳体结构,其特征在于:所述边沿安装框(3)和封装盖板(4)气密连接。