1.一种递进式单晶硅片磨削加工装置，包括储液罐（1）与加工台（2），其特征在于：所述加工台（2）上设置有横梁（6），所述横梁（6）的中心处安装有第一电机（7）；

所述第一电机（7）的输出端传动连接有十字支架（8），所述十字支架（8）的底端设置有加工组件（9）；

所述加工台（2）上设置有承载台（12），所述承载台（12）上吸附有单晶硅片（15）；

所述加工组件（9）包括第一联动轴（901），所述第一联动轴（901）上套设有第一安装台（903），所述第一安装台（903）上设置有电动转盘（904），所述电动转盘（904）的中心处安装有第一电动推杆（905），所述第一电动推杆（905）的输出端固定连接有磨削机构（906）；

通过第一电机（7）带动十字支架（8）转动，使加工组件（9）转移至靠近单晶硅片（15）的一侧，通过磨削机构（906）与电动转盘（904）配合对单晶硅片（15）进行预设厚度值的递进式螺旋磨削加工；

所述第一联动轴（901）转动连接在十字支架（8）的底端，所述第一联动轴（901）上设置有第一齿轮（902），所述磨削机构（906）包括限位块（9061），所述限位块（9061）内开设有丝杆槽（9062），所述丝杆槽（9062）内转动连接有丝杆（9063），所述限位块（9061）的一侧外壁设置有第二电机（9064），所述第二电机（9064）的输出端与丝杆（9063）的一端传动连接，所述丝杆（9063）上螺纹连接有内螺纹块（9065），所述内螺纹块（9065）上设置有第三电机（9066），所述第三电机（9066）的输出端传动连接有磨削盘（9067）；

所述十字支架（8）的底端还设置有清洁机构（10）和换料机构（11），所述清洁机构（10）包括第二联动轴（1001），所述第二联动轴（1001）上设置有第二齿轮（1002），所述第二联动轴（1001）上套设有第二安装台（1003），所述第二安装台（1003）上设置有第三电动推杆（1004），所述第三电动推杆（1004）的输出端固定连接有第四电机（1005），所述第四电机（1005）的输出端传动连接有软毛刷（1006）；

所述换料机构（11）包括第三联动轴（1101），所述第三联动轴（1101）上设置有第三齿轮（1102），所述第三联动轴（1101）上套设有第三安装台（1103），所述第三安装台（1103）上设置有第四电动推杆（1104），所述第四电动推杆（1104）的输出端固定连接有真空吸盘（1105）。

2.根据权利要求1所述的递进式单晶硅片磨削加工装置，其特征在于：所述加工台（2）的一侧设置有换料台（3），所述加工台（2）上开设有环形槽（201），所述加工台（2）上设置有外齿环（13），所述承载台（12）设置在外齿环（13）内。

3.根据权利要求2所述的递进式单晶硅片磨削加工装置，其特征在于：所述承载台（12）上开设有凹槽（1201），所述凹槽（1201）的内壁开设有若干组吸附孔（1202），若干组所述吸附孔（1202）均与承载台（12）的内部空腔互相连通，所述承载台（12）的内壁设置有若干组喷液嘴（1203），若干组所述喷液嘴（1203）的喷液方向均朝向单晶硅片（15）的表面。

4.根据权利要求3所述的递进式单晶硅片磨削加工装置，其特征在于：所述承载台（12）的内壁底端开设有漏屑槽（1204），所述漏屑槽（1204）与储液罐（1）的内部相互连通，所述承载台（12）的一侧设置有真空泵（16），所述真空泵（16）的进气端连通有吸气管（1601），所述吸气管（1601）与承载台（12）的内部空腔相互连通，所述承载台（12）的一侧设置有液泵（17），所述液泵（17）的出液端连通有出液管（1701），所述出液管（1701）与若干组喷液嘴（1203）的进液端相互连通。

5.根据权利要求1所述的递进式单晶硅片磨削加工装置，其特征在于：所述限位块（9061）上开设有滑槽（9068），所述内螺纹块（9065）的顶端设置有第二电动推杆（9069），所述第二电动推杆（9069）与滑槽（9068）活动贴合，所述第二电动推杆（9069）的输出端固定连接有距离传感器（90610）。

6.根据权利要求4所述的递进式单晶硅片磨削加工装置，其特征在于：所述储液罐（1）内活动卡接有抽拉屉（101），所述抽拉屉（101）的底端设置有滤网（102），所述加工台（2）上开设有导屑槽（202），所述导屑槽（202）设置在漏屑槽（1204）的正下方，且所述导屑槽（202）与储液罐（1）的内部相互连通，所述储液罐（1）内设置有取液管（103），所述取液管（103）与液泵（17）的进液端相互连通。

7.一种应用于权利要求1‑6任一项所述的递进式单晶硅片磨削加工装置的加工方法，其特征在于：所述加工方法包括：

开启真空泵，将单晶硅片与载片板吸附至承载台上，完成单晶硅片的装载；

开启第一电机，使加工组件移动至靠近单晶硅片的一侧，开启第一电动推杆带动磨削机构移动，使磨削机构移动至单晶硅片的表面；

开启电动转盘，使磨削机构对单晶硅片进行递进式螺旋磨削操作；

完成对单晶硅片的磨削操作后，磨削机构对单晶硅片表面不同位置进行距离监测；

对监测数据进行分析以判断单晶硅片表面的平整度，并根据数据对磨削机构的位置与距离进行调节，以进行二次加工，直到单晶硅片厚度及平整度达到标准要求。