1. 一种自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路，其特征在于，包括双边栅极驱动芯片、串扰抑制电路、差分放大电路和模拟乘法器；

所述双边栅极驱动芯片用于输出混合并联的Si IGBT和SiC MOSFET的驱动信号；

所述差分放大电路包括SiC MOSFET差分放大电路和Si IGBT差分放大电路；SiC MOSFET差分放大电路将Si IGBT驱动信号接入运放同相输入端，SiC MOSFET 驱动信号接入运放反相输入端，两个信号经过差分放大后，生成一个只包括延时开关部分的驱动信号；Si IGBT差分放大电路将SiC MOSFET驱动信号接入运放同相输入端，Si IGBT驱动信号接入运放反相输入端，两个信号经过差分放大后，生成一个只包括延时开关部分的驱动信号；

所述模拟乘法器包括SiC MOSFET模拟乘法器和Si IGBT模拟乘法器；SiC MOSFET模拟乘法器将SiC MOSFET差分放大电路输出与经过电压抬升后的Si IGBT驱动信号相乘，生成PWM1；若此时SiC MOSFET驱动信号相对于Si IGBT驱动信号为后开通先关断，则输出PWM1信号；Si IGBT模拟乘法器将Si IGBT驱动信号差分放大电路输出与经过抬升后的SiC MOSFET驱动信号相乘，生成Si IGBT负向串扰抑制电路开通信号PWM2，若此时Si IGBT驱动信号为后开通先关断，则输出PWM2信号；

混合并联的SiC MOSFET 和Si IGBT均分别接入一组串扰抑制电路；所述串扰抑制电路包括正向串扰抑制电路和负向串扰抑制电路；所述正向串扰电路包括一个PNP型三极管和一个RC并联支路，PNP型三极管基极与发射极分别接在驱动电阻两端，当发生正向串扰时候，PNP型三极管开通，正向串扰电流经过该PNP型三极管，并流入RC并联支路，进而抑制正向串扰发生；所述负向串扰抑制电路包括一个N沟道MOSFET和一个RC并联支路，其RC并联支路复用正向串扰抑制电路中的RC并联支路部分，当Si IGBT Q或SiC MOSFET M发生负向串扰时，N沟道MOSFET栅极接入的PWM信号将使其导通，反向串扰电流经过该N沟道MOSFET，从RC并联支路导出，进而抑制负向串扰发生。

2. 根据权利要求1所述的自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路，其特征在于，

所述SiC MOSFET差分放大电路包括运算放大器U1、电阻R3~R6；电阻R3一端连接Si IGBT驱动信号OUT2，另一端连接运算放大器U1同相输入端和电阻R5一端，电阻R5另一端接地；电阻R4一端连接SiC MOSFET驱动信号OUT1，另一端连接运算放大器U1反相输入端和电阻R6一端，电阻R6另一端接运算放大器U1输出端；运算放大器供电端分别接正电压Vcc和负电压Vss；

所述Si IGBT差分放大电路包括运算放大器U2、R12~R15；电阻R12一端连接SiC MOSFET驱动信号OUT1，另一端连接运算放大器U2同相输入端和电阻R14一端，电阻R14另一端接地；电阻R13一端连接Si IGBT驱动信号OUT2，另一端连接运算放大器U1反相输入端和电阻R15一端，电阻R15另一端接运算放大器U2输出端；运算放大器供电端分别接正电压Vcc和负电压Vss。

3. 根据权利要求1所述的自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路，其特征在于，

所述SiC MOSFET模拟乘法器包括电阻R7~R11、Rf1~Rf3、运算放大器U3、NPN型三极管Q5~Q7；

电阻R7一端接运算放大器U1输出，另一端接三极管Q5的基极，三极管Q5的集电极接电阻R9一端，同时在此引出输出信号PWM1，电阻R9另一端接入正电压Vcc，三极管Q5的发射极接三极管Q6的发射极和三极管Q7的集电极，三极管Q6的基极接地，集电极接电阻R10一端，电阻R10另一端接入正电压Vcc，三极管Q7的发射极接电阻R11一端，电阻R11另一端接地，三极管Q7的基极接运算放大器U3输出端和电阻Rf3一端，电阻Rf3另一端接运算放大器U3反相输入端，运算放大器U3供电端分别接入正电压Vcc和负电压Vss，运算放大器U3同相输入端接电阻R8一端和电阻Rf1、电阻Rf2一端，电阻R8另一端接Si IGBT驱动信号OUT2，电阻Rf1另一端接正电压Vcc，电阻Rf2另一端接地；

所述Si IGBT模拟乘法器包括电阻R16~R20、Rf4~Rf6、运算放大器U4、NPN型三极管Q8~Q10；

电阻R16一端接运算放大器U2输出，另一端接三极管Q8的基极，三极管Q8的集电极接电阻R18一端，同时在此引出输出信号PWM2，R18另一端接入正电压Vcc，三极管Q8的发射极接三极管Q9的发射极和三极管Q10的集电极，三极管Q9的基极接地，集电极接电阻R19一端，电阻R19另一端接入正电压Vcc，三极管Q10的发射极接电阻R20一端，电阻R20另一端接地，三极管Q10的基极接运算放大器U4输出端和电阻Rf6一端，电阻Rf6另一端接运算放大器U4反相输入端，运算放大器U4供电端分别接正电压Vcc和负电压Vss，运算放大器U4同相输入端接电阻R17一端和电阻Rf4、电阻Rf5一端，电阻R17另一端接Si MOSFET驱动信号OUT1，电阻Rf4另一端接正电压Vcc，电阻Rf5另一端接地。

4. 根据权利要求1所述的自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路，其特征在于，SiC MOSFET的串扰抑制电路包括电阻R1、电容C1、PNP型三极管Q1、N沟道MOSFET Q3、二极管D1；三极管Q1的基极连接SiC MOSFET驱动电阻Rg_MOS一端以及SiC MOSFET驱动信号OUT1，三极管Q1的发射极连接SiC MOSFET驱动电阻Rg_MOS另一端以及二极管D1的阴极、SiC MOSFET的源极，三极管Q1的集电极连接MOSFET Q3的源极以及电阻R1、电容C1一端，电阻R1和电容C1另一端接地，MOSFET Q3的栅极连接SiC MOSFET模拟乘法器输出信号PWM1，MOSFET Q3的漏极连接二极管D1的阳极；

Si IGBT的串扰抑制电路包括电阻R2、电容C2、PNP型三极管Q2、N沟道MOSFET Q4、二极管D2；三极管Q2的基极连接Si IGBT驱动电阻Rg_IGBT一端以及Si IGBT驱动信号OUT2，三极管Q2的发射极连接Si IGBT驱动电阻Rg_IGBT另一端以及二极管D2的阴极、Si IGBT的源极，三极管Q2的集电极连接MOSFET Q4的源极以及电阻R2、电容C2一端，电阻R2和电容C2另一端接地，MOSFET Q4的栅极连接Si IGBT模拟乘法器输出信号PWM2，MOSFET Q4的漏极连接二极管D2的阳极。