1.一种抑制SiC MOSFET串扰的高关断阻抗驱动电路，其特征在于，包括互补导通的SiC MOSFET上桥臂和SiC MOSFET下桥臂，每个桥臂均分别包括基本驱动电路和钳位电路；

基本驱动电路包括供电电压源V1、供电电压源V2、开关管S1、开关管S2、开通栅极电阻Ron、关断栅极电阻Roff、二极管D1、二极管D2、二极管D3；供电电压源V1的正极与开关管S1的漏极相连，供电电压源V1的负极与二极管D1的负极相连；开关管S1的源极与开通栅极电阻Ron的一端以及开关管S2的漏极相连；开通栅极电阻Ron的另一端与SiC MOSFET的栅极以及二极管D3的正极相连；二极管D3的负极与关断栅极电阻Roff的一端相连；关断栅极电阻Roff的另一端与开关管S1的源极以及开关管S2的漏极相连；供电电压源V2的正极与二极管D2的正极相连；

供电电压源V2的负极与开关管S2的源极相连；二极管D2的负极与二极管D1的正极与SiC MOSFET的源极相连；

钳位电路包括电阻R1、电阻R2、二极管D4、二极管D5、开关管S3、开关管S4；开关管S3的漏极与SiC MOSFET源极、二极管D1的正极、二极管D2的负极相连；开关管S3的源极与开关管S4的源极以及二极管D4的正极相连；二极管D4的负极与电阻R1的一端相连；电阻R1的另一端与SiC MOSFET的栅极以及二极管D3的正极相连；开关管S4的漏极与二极管D5的负极相连；二极管D5的正极与电阻R2的一端相连；电阻R2的另一端与SiC MOSFET 的栅极以及二极管D3的正极相连；

钳位电路中元器件满足以下条件：

(RS3+RD4+R1+Rg(in))Cgs

钳位电路中元器件还满足以下条件：

RS3+RD4+R1+Rg(in)>2√(Lloop1/Cgs)Rg(in)+R2+RD5+RS4+RS3>2√(Lloop2/Cgs)其中，Lloop1与Lloop2为钳位回路的等效电感。

2.根据权利要求1所述的抑制SiC MOSFET串扰的高关断阻抗驱动电路，其特征在于，开关管S1、开关管S2、开关管S3、开关管S4均为Si MOSFET。