1.一种栅源阻抗动态调节主动均流的SiC MOSFET并联驱动电路，其特征在于，包括SiC MOSFET M1、SiC MOSFET M2、电流采集电路、差分放大隔离电路、电流差值反馈电路、栅源低阻抗电路以及SiC MOSFET基本驱动电路；

所述电流采集电路包括分流器R100和R101，分别用于串联在SiC MOSFET M1支路和SiC MOSFET M2支路；

所述差分放大隔离电路与电流差值反馈电路连接，用于测量分流器上的电位差来间接测量SiC MOSFET M1支路和SiC MOSFET M2支路的电流，在SiC MOSFET并联电路电流不均衡时，输出控制信号到栅源低阻抗电路；

所述栅源低阻抗电路包括SiC MOSFET M1支路的栅源低阻抗辅助电路和SiC MOSFET M2支路的栅源低阻抗辅助电路，分别为SiC MOSFET M1和SiC MOSFET M2的栅极提供低阻抗回路，在所述控制信号作用下改变栅源电压的变化速率和栅源电压的稳态值，动态调节SiC MOSFET的开关速度，从而抑制不均流现象。

2.根据权利要求1所述的栅源阻抗动态调节主动均流的SiC MOSFET并联驱动电路，其特征在于，所述差分放大隔离电路包括光耦隔离放大器U1和U2、运算放大器U3和U4、电阻R5～R12；

光耦隔离放大器U1的正输入端连接分流器R100的电流输入端，负输入端连接分流器R100的电流输出端；光耦隔离放大器U1的正输出端连接电阻R5的一端，负输出端连接电阻R7的一端；电阻R5的另一端连接运算放大器U3的正输入端和电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接参考地；电阻R7的另一端连接运算放大器U3的负输入端与电阻R8的一端；电阻R8的另一端连接运算放大器U3的输出端；

光耦隔离放大器U2的正输入端连接分流器R101的电流输入端，负输入端连接分流器R101的电流输出端；光耦隔离放大器U2的正输出端连接电阻R9的一端，负输出端连接电阻R11的一端；电阻R9的另一端连接运算放大器U4的正输入端和电阻R10的一端，电阻R10的另一端连接参考地；电阻R11的另一端连接运算放大器U4的负输入端和电阻R12的一端；电阻R12的另一端连接运算放大器U4的输出端。

3.根据权利要求2所述的栅源阻抗动态调节主动均流的SiC MOSFET并联驱动电路，其特征在于，所述电流差值反馈电路包括运算放大器U5和U6、电阻R13～R20；

电阻R15的一端连接运算放大器U3的输出端和电阻R17的一端；电阻R15的另一端连接运算放大器U5的正输入端和电阻R16的一端，电阻R16的另一端连接参考地；电阻R13的一端连接运算放大器U4的输出端和电阻R19的一端，电阻R13的另一端连接运算放大器U5的负输入端和电阻R14的一端，电阻R14的另一端连接运算放大器U5的输出端；电阻R19的另一端连接运算放大器U6的正输入端和电阻R20的一端，电阻R20的另一端连接参考地；电阻R17的另一端连接运算放大器U6的负输入端和电阻R18的一端，电阻R18的另一端连接运算放大器U6的输出端。

4.根据权利要求3所述的栅源阻抗动态调节主动均流的SiC MOSFET并联驱动电路，其特征在于，所述SiC MOSFET基本驱动电路包括供电电压源V1、供电电压源V2、开关管S1、开关管S2、开通驱动电阻Ron、关断驱动电阻Roff、肖特基二极管D；供电电压源V1的正极与开关管S1的漏极相连，供电电压源V1的负极与SiC MOSFET M1和SiC MOSFET M2的源极相连，开关管S1的源极与开通驱动电阻Ron的一端和关断驱动电阻Roff的一端相连，开通驱动电阻Ron的另一端与SiC MOSFET M1和SiC MOSFET M2的栅极以及肖特基二极管D的正极相连，肖特基二极管D的负极与关断驱动电阻Roff的另一端相连；供电电压源V2的负极与开关管S2的源极相连，供电电压源V2正极与SiC MOSFET M1和SiC MOSFET M2的源极以及供电电压源V1的负极相连；

所述开关管S2的漏极与开关管S1的源极相连。

5.根据权利要求4所述的栅源阻抗动态调节主动均流的SiC MOSFET并联驱动电路，其特征在于，所述M1支路的栅源低阻抗辅助电路包括电容C1、电阻R1、电阻R3、NPN三极管Q1；所述M2支路的栅源低阻抗辅助电路包括电容C2、电阻R2、电阻R4、NPN三极管Q2；

三极管Q1的发射极连接SiC MOSFET M1的源极，三极管Q1的基极连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接运算放大器U5的输出端；电容C1的一端连接三极管Q1的集电极，另一端连接SiC MOSFET M1的栅极；电阻R1并联在电容C1的两端；

三极管Q2的发射极连接SiC MOSFET M2的源极，三极管Q2的基极连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接运算放大器U6的输出端；电容C2的一端连接三极管Q2的集电极，另一端连接SiC MOSFET M2的栅极；电阻R2并联在电容C2的两端。