1.一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块，其特征在于，包括：下DBC基板和上DBC基板；

所述下DBC基板包括下AIN基板(101)以及位于所述下AIN基板(101)表面的下金属板(102)；所述上DBC基板包括上AIN基板(201)以及位于所述上AIN基板(201)表面的上金属板(202)；

所述下金属板(102)和所述上金属板(202)的结构相同；所述下金属板(102)和所述上金属板(202)均包括：DC+端子金属层、DC‑端子金属层、多个AC端子金属层以及多个驱动金属层；

其中，所述DC+端子金属层上设置有DC+端子和碳化硅芯片；所述DC‑端子金属层上设置有DC‑端子；所述多个AC端子金属层上设置有AC端子和碳化硅芯片，且所述上金属板(202)中的所述多个AC端子金属层之间通过铜桥(5I)连接；所述多个驱动金属层上设置有驱动端子；

所述下金属板(102)中的所述DC+端子金属层和所述上金属板(202)中的所述DC‑端子金属层相对设置，所述下金属板(102)中的所述DC‑端子金属层和所述上金属板(202)中的所述DC+端子金属层相对设置；所述下金属板(102)中的碳化硅芯片通过钼化物连接所述上金属板(202)中的AC端子金属层；所述上金属板(202)中的碳化硅芯片通过钼化物连接所述下金属板(102)中的AC端子金属层；

所述下金属板(102)中的DC+端子金属层包括第一DC+端子金属层(1D)；

所述下金属板(102)中的DC‑端子金属层包括第一DC‑端子金属层(4D)；

所述下金属板(102)中的多个AC端子金属层包括：第一AC端子金属层(2D)和第二AC端子金属层(3D)；

所述第一DC+端子金属层(1D)和所述第一DC‑端子金属层(4D)设置在所述下金属板(102)的第一中轴线上；

所述第一AC端子金属层(2D)和所述第二AC端子金属层(3D)分别位于所述第一DC‑端子金属层(4D)的两侧，且所述第一AC端子金属层(2D)和所述第二AC端子金属层(3D)关于所述下金属板(102)的第一中轴线对称。

2.根据权利要求1所述的一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块，其特征在于，所述第一DC+端子金属层(1D)包括第一矩形部和第二矩形部；其中，所述第一矩形部垂直于所述下金属板(102)的第一中轴线设置，所述第二矩形部垂直连接在所述第一矩形部一侧的中间，且所述第二矩形部的轴线与所述下金属板(102)的第一中轴线重合；所述第一矩形部的两端分别设置有第一下管碳化硅芯片(1B)和第二下管碳化硅芯片(2B)；所述第二矩形部远离所述第一矩形部的一端设置有第一DC+端子(304)；

所述第一DC‑端子金属层(4D)、所述第一AC端子金属层(2D)和所述第二AC端子金属层(3D)的形状均为矩形；

所述第一DC‑端子金属层(4D)设置在所述第一矩形部远离所述第二矩形部的一侧，且轴线与所述下金属板(102)的第一中轴线重合，所述第一DC‑端子金属层(4D)远离所述第一矩形部的一端设置有第一DC‑端子(301)；

所述第一AC端子金属层(2D)设置在所述第一DC‑端子金属层(4D)的一侧，所述第一AC端子金属层(2D)远离所述第一DC‑端子金属层(4D)的一端设置有第一AC端子(303)，且所述第一AC端子金属层(2D)的表面设置有第三下管碳化硅芯片(3B)；

所述第二AC端子金属层(3D)设置在所述第一DC‑端子金属层(4D)的另一侧且与所述第一AC端子金属层(2D)对称，所述第二AC端子金属层(3D)远离所述第一DC‑端子金属层(4D)的一端设置有第二AC端子(302)，且所述第二AC端子金属层(3D)的表面设置有第四下管碳化硅芯片(4B)。

3.根据权利要求2所述的一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块，其特征在于，所述上金属板(202)中的DC+端子金属层包括第二DC+端子金属层(4H)；

所述第二DC+端子金属层(4H)包括第三矩形部和第四矩形部；其中，所述第三矩形部垂直于所述上金属板(202)的第一中轴线设置，所述第四矩形部垂直连接在所述第三矩形部一侧的中间，且所述第四矩形部的轴线与所述上金属板(202)的第一中轴线重合；所述第三矩形部的两端分别设置有第一上管碳化硅芯片(3F)和第二上管碳化硅芯片(4F)；所述第四矩形部远离所述第三矩形部的一端设置有第二DC+端子(601)；

所述上金属板(202)中的DC‑端子金属层包括第二DC‑端子金属层(1H)；

所述第二DC‑端子金属层(1H)，设置在所述第三矩形部远离所述第四矩形部的一侧，且轴线与所述上金属板(202)的第一中轴线重合，所述第二DC‑端子金属层(1H)远离所述第三矩形部的一端设置有第二DC‑端子(604)；

所述上金属板(202)中的多个AC端子金属层包括：第三AC端子金属层(2H)和第四AC端子金属层(3H)；

所述第三AC端子金属层(2H)设置在所述第二DC‑端子金属层(1H)的一侧，所述第三AC端子金属层(2H)远离第二DC‑端子金属层(1H)的一端设置有第三AC端子(603)，且所述第三AC端子金属层(2H)的表面设置有第三上管碳化硅芯片(1F)；

所述第四AC端子金属层(3H)设置在所述第二DC‑端子金属层(1H)的另一侧且与所述第三AC端子金属层(2H)对称，所述第四AC端子金属层(3H)远离所述第二DC‑端子金属层(1H)的一端设置有第四AC端子(602)，且所述第四AC端子金属层(3H)的表面设置有第四上管碳化硅芯片(2F)。

4.根据权利要求3所述的一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块，其特征在于，所述第一下管碳化硅芯片(1B)，源极通过第一钼化物(1A)连接所述第三AC端子金属层(2H)，漏极固定连接所述第一DC+端子金属层(1D)；

所述第二下管碳化硅芯片(2B)，源极通过第二钼化物(2A)连接所述第四AC端子金属层(3H)，漏极固定连接所述第一DC+端子金属层(1D)；

所述第三下管碳化硅芯片(3B)，源极通过第一键合线(1C)连接所述第一DC‑端子金属层(4D)，漏极固定连接所述第一AC端子金属层(2D)；

所述第四下管碳化硅芯片(4B)，源极通过第二键合线(2C)连接所述第一DC‑端子金属层(4D)，漏极固定连接所述第二AC端子金属层(3D)；

所述第一上管碳化硅芯片(3F)，源极通过第三钼化物(1E)连接所述第一AC端子金属层(2D)，漏极固定连接所述第二DC+端子金属层(4H)；

所述第二上管碳化硅芯片(4F)，源极通过第四钼化物(2E)连接所述第二AC端子金属层(3D)，漏极固定连接所述第二DC+端子金属层(4H)；

所述第三上管碳化硅芯片(1F)，源极通过第三键合线(1G)连接所述第二DC‑端子金属层(1H)，漏极固定连接所述第三AC端子金属层(2H)；

所述第四上管碳化硅芯片(2F)，源极通过第四键合线(2G)连接所述第二DC‑端子金属层(1H)，漏极固定连接所述第四AC端子金属层(3H)。

5.根据权利要求3所述的一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块，其特征在于，所述第一DC+端子金属层(1D)的一端和所述第二DC+端子金属层(4H)的一端通过第五钼化物(1I)连接，所述第一DC+端子金属层(1D)的另一端和所述第二DC+端子金属层(4H)的另一端通过第六钼化物(2I)连接；

所述第一AC端子金属层(2D)和所述第四AC端子金属层(3H)通过第七钼化物(3I)连接；

所述第二AC端子金属层(3D)和所述第三AC端子金属层(2H)通过第八钼化物(4I)连接；

所述第三AC端子金属层(2H)和所述第四AC端子金属层(3H)通过铜桥(5I)连接；

所述第二DC‑端子金属层(1H)和所述第一DC‑端子金属层(4D)通过第九钼化物(6I)连接。

6.根据权利要求3所述的一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块，其特征在于，所述多个驱动金属层包括八组驱动金属层，每组驱动金属层均与所述碳化硅芯片对应设置，其中，四组驱动金属层分别位于所述下金属板(102)的四个角落，另外四组驱动金属层分别位于所述上金属板(202)的四个角落；并且，所述每组驱动金属层上均设置有一组驱动端子。

7.根据权利要求6所述的一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块，其特征在于，所述每组驱动金属层均包括：一个源极驱动金属层和一个栅极下驱动金属层；

所述一个源极驱动金属层的表面设置有一个源极驱动端子，所述一个栅极驱动金属层的表面设置有一个栅极驱动端子。

8.根据权利要求7所述的一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块，其特征在于，所述一个源极驱动端子连接一个所述碳化硅芯片的源极，所述一个栅极驱动端子连接一个所述碳化硅芯片的栅极。

9.根据权利要求6所述的一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块，其特征在于，所述下DBC基板还包括下散热板(103)；

所述下散热板(103)位于所述下AIN基板(101)远离所述下金属板(102)的表面，用于安装散热器；

所述上DBC基板还包括上散热板(203)；

所述上散热板(203)位于所述上AIN基板(201)远离所述上金属板(202)的表面，用于安装散热器。