1.一种多功率回路的低寄生电感碳化硅功率模块，其特征在于，包括：DBC基板、多个碳化硅芯片、多个驱动回路、多个直流端子、多个交流端子和多个驱动端子；

所述DBC基板下表面的第一金属层和分布在所述DBC基板上表面的第二金属层；其中，所述第二金属层包括：驱动金属层、上管芯片金属层、下管芯片金属层、DC‑端子金属层；

所述DBC基板上设置有所述多个碳化硅芯片；

所述多个驱动回路分别设置于所述多个碳化硅芯片上方和下方；

所述多个直流端子分别对应设置于所述上管芯片金属层和所述DC‑端子金属层上，且所述多个直流端子相互靠近放置；

所述多个交流端子设置于所述下管芯片金属层上；

所述多个驱动端子与所述驱动金属层连接。

2.根据权利要求1所述的多功率回路的低寄生电感碳化硅功率模块，其特征在于，所述驱动金属层包括：第一驱动金属层、第二驱动金属层和第三驱动金属层，所述驱动金属层用于放置驱动回路的端子和电阻；

所述上管芯片金属层用于放置换流回路的多个上管碳化硅芯片以及换流回路的DC+端子；

所述下管芯片金属层用于放置所述换流回路的多个下管碳化硅芯片以及换流回路的交流端子；

第一DC‑端子金属层、第二DC‑端子金属层、第三DC‑端子金属层和第四DC‑端子金属层用于放置所述换流回路的DC‑端子。

3.根据权利要求2所述的多功率回路的低寄生电感碳化硅功率模块，其特征在于，所述第一驱动金属层上放置所述驱动端子的栅极端子与所述电阻的一端；

所述第二驱动金属层上放置所述电阻的另一端，用于连接每个所述碳化硅芯片的栅极；

所述第三驱动金属层上放置所述驱动端子的源极端子，所述第三驱动金属层与每个所述碳化硅芯片的源极以开尔文连接的方式连接。

4.根据权利要求1所述的多功率回路的低寄生电感碳化硅功率模块，其特征在于，所述多个直流端子具体包括：第一对DC‑端子、第一对DC+端子、第二对DC‑端子、第二对DC+端子、第三对DC‑端子、第三对DC+端子、第四对DC‑端子、第四对DC+端子；

所述第一对DC‑端子设置于第一DC‑端子金属层上；所述第二对DC‑端子设置于第二DC‑端子金属层上；所述第三对DC‑端子设置于第三DC‑端子金属层上；所述第四对DC‑端子设置于第四DC‑端子金属层上；

所述第一对DC+端子设置于所述上管芯片金属层上；所述第二对DC+端子设置于上管芯片金属层上；所述第三对DC+端子设置于上管芯片金属层上；所述第四对DC+端子设置于上管芯片金属层上。

5.根据权利要求2所述的多功率回路的低寄生电感碳化硅功率模块，其特征在于，所述低寄生电感碳化硅功率模块包括多个所述换流回路，所述换流回路具体包括：DC+端子、所述上管芯片金属层、所述上管碳化硅芯片、键合线、所述下管芯片金属层、所述下管碳化硅芯片、所述DC‑端子金属层和DC‑端子；

所述上管芯片金属层与所述上管碳化硅芯片、所述DC+端子连接；

所述下管芯片金属层与所述下管碳化硅芯片、所述交流端子连接；

所述上管碳化硅芯片的源极通过所述键合线与所述下管芯片金属层连接；

所述下管碳化硅芯片的源极通过所述键合线与所述DC‑端子金属层连接；

所述DC‑端子金属层与所述DC‑端子连接。

6.根据权利要求2所述的多功率回路的低寄生电感碳化硅功率模块，其特征在于，所述第一DC‑端子金属层、所述第二DC‑端子金属层、所述第三DC‑端子金属层和所述第四DC‑端子金属层呈现四个上下交错排列的金属岛，所述第一DC‑端子金属层、所述第二DC‑端子金属层、所述第三DC‑端子金属层和所述第四DC‑端子金属层通过键合线横向连接。

7.根据权利要求2所述的多功率回路的低寄生电感碳化硅功率模块，其特征在于，所述驱动回路具体包括：所述多个驱动端子、所述第一驱动金属层、所述第二驱动金属层、所述第三驱动金属层、电阻和所述碳化硅芯片；

所述碳化硅芯片的栅极通过键合线连接所述第二驱动金属层；

所述碳化硅芯片的源级利用所述键合线以开尔文连接的方式连接所述驱动回路的所述第三驱动金属层。

8.根据权利要求1所述的多功率回路的低寄生电感碳化硅功率模块，其特征在于，所述多个驱动回路具体包括：第一驱动回路、第二驱动回路、第三驱动回路、第四驱动回路、第五驱动回路、第六驱动回路、第七驱动回路、第八驱动回路；所述多个碳化硅芯片具体包括：第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片、第三碳化硅芯片、第四碳化硅芯片、第五碳化硅芯片、第六碳化硅芯片、第七碳化硅芯片、第八碳化硅芯片；

所述第一驱动回路、所述第二驱动回路、所述第三驱动回路、所述第四驱动回路分别设置于所述第二碳化硅芯片、所述第三碳化硅芯片、所述第四碳化硅芯片上方；

所述第五驱动回路、所述第六驱动回路、所述第七驱动回路、所述第八驱动回路分别设置于所述第五碳化硅芯片、所述第六碳化硅芯片、所述第七碳化硅芯片、所述第八碳化硅芯片下方。

9.一种多功率回路的低寄生电感碳化硅功率模块的制备方法，其特征在于，包括：在DBC基板的表面均匀涂抹焊锡膏，将多个碳化硅芯片与电阻设置于所述DBC基板上进行真空焊接；

将碳化硅芯片的电极与所述DBC基板上的驱动金属层进行连接、将上管芯片的电极与下管芯片金属层连接、将下管芯片的电极与DC‑端子金属层连接，并将DC‑端子金属层之间互联；

在所述DBC基板指定位置均匀涂抹焊锡膏，并在焊锡膏处将功率端子、驱动端子与所述DBC基板进行焊接；

将所述DBC基板灌封绝缘材料，得到低寄生电感碳化硅功率模块。

10.根据权利要求9所述的多功率回路的低寄生电感碳化硅功率模块的制备方法，其特征在于，在将多个碳化硅芯片与电阻设置于所述DBC基板上进行真空焊接之后还包括：采用超声清洗设备对所述DBC基板表面进行清洗。