1.一种半导体器件的金属互连结构，其特征在于，包括基座(1)，所述基座(1)的上表面固定连接有接线盘(2)，所述接线盘(2)的内壁固定连接有基板(9)，所述基板(9)的上表面固定连接有一组金属线(10)，所述基板(9)的正面与基板(9)的背面均固定连接有一组金属球(8)，所述基板(9)的上表面固定连接有金属板(7)，所述金属板(7)的上表面固定连接有散热板(4)，所述散热板(4)的上表面开设有一组金属孔(6)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体器件的金属互连结构，其特征在于，所述金属板(7)的上表面固定连接有防护圈(3)，所述防护圈(3)的内壁固定连接有氮化硅防护层(11)。

3.根据权利要求1所述的一种半导体器件的金属互连结构，其特征在于，所述金属板(7)的上表面固定连接有防护圈(3)，所述防护圈(3)的内壁固定连接有氮化硅防护层(11)。

4.根据权利要求1所述的一种半导体器件的金属互连结构，其特征在于，所述散热板(4)的上方设有参数标签(12)，所述参数标签(12)的底面与散热板(4)的上表面固定连接。