1.一种制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，其特征在于，所述硅基多层结构由下至上依次包括：低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si1-yGey层、Si1-xGex层、第二驰豫Si1-yGey层、应变Si1-rGer层及应变硅层，r、x及y为自然数，0

2.如权利要求1所述的硅基多层结构，其特征在于，所述应变硅层的厚度小于等于

10nm。

3.如权利要求1所述的硅基多层结构，其特征在于，应变Si1-rGer层中r减小的速率由上至下逐渐减小。

4.如权利要求1所述的硅基多层结构，其特征在于，所述Si1-xGex层中x由上至下逐渐增大。

5.如权利要求4所述的硅基多层结构，其特征在于，所述Si1-xGex层中x小于等于0.3。

6.如权利要求1所述的硅基多层结构，其特征在于，所述Si1-xGex层的厚度大于等于

10nm。

7.如权利要求1所述的硅基多层结构，其特征在于，所述第一驰豫Si1-yGey层包括低掺杂驰豫Si1-yGey层及高掺杂驰豫Si1-yGey层。

8.如权利要求1所述的硅基多层结构，其特征在于，还包括设置在所述低掺杂单晶硅层及所述第一驰豫Si1-yGey层之间的低温硅层。

9.一种制造双极互补金属氧化半导体器件的方法，其特征在于，采用如权利要求1-7任一项所述的硅基多层结构制造双极互补金属氧化半导体器件，双极互补金属氧化半导体器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管及异质结双极晶体管，其中：使用所述应变硅层作为氧化牺牲层或作为金属氧化物半导体场效应晶体管的空穴沟道；

使用所述应变Si1-rGer层作为金属氧化物半导体场效应晶体管的空穴沟道及异质结双极晶体管的发射区；

使用所述第二驰豫Si1-yGey层作为异质结双极晶体管的发射区；

使用所述Si1-xGex层作为异质结双极晶体管的基区；

使用所述第一驰豫Si1-yGey层作为虚拟衬底；

使用所述低掺杂单晶硅层作为衬底。

10.如权利要求9所述的制造双极互补金属氧化半导体器件的方法，其特征在于，所述硅基多层结构还包括设置在所述低掺杂单晶硅层及所述第一驰豫Si1-yGey层之间的低温硅层，所述制造双极互补金属氧化半导体器件的方法还包括使用所述低温硅层作为缓冲层。