1.一种轴对称的碳化硅功率模块封装结构，其特征在于，包括：若干芯片、若干功率端子、若干输出端子、若干键合线、第一功率铜面(7)、第二功率铜面(8)、第三功率铜面(9A)和第四功率铜面(9B)，其中，所述第二功率铜面(8)、所述第三功率铜面(9A)、所述第四功率铜面(9B)均位于所述第一功率铜面(7)的内部；所述第三功率铜面(9A)位于所述第二功率铜面(8)的一侧且位于所述第二功率铜面(8)与所述第一功率铜面(7)之间，所述第四功率铜面(9B)位于所述第二功率铜面(8)的另一侧且位于所述第二功率铜面(8)与所述第一功率铜面(7)之间；所述第三功率铜面(9A)与所述第一功率铜面(7)的相邻侧相互交错形成第一交错部分，所述第四功率铜面(9B)与所述第一功率铜面(7)的相邻侧相互交错形成第二交错部分；所述第三功率铜面(9A)、所述第四功率铜面(9B)通过键合线相连；

所述若干芯片分布在所述第一功率铜面(7)和所述第二功率铜面(8)上，且每个芯片通过所述键合线按照电流路径与相应的功率铜面相连；所述若干功率端子分布在所述第一交错部分和第二交错部分，且位于不同功率铜面上的功率端子彼此靠近；所述若干输出端子分布在所述第二功率铜面(8)上；

所述第一功率铜面(7)、第二功率铜面(8)、第三功率铜面(9A)、第四功率铜面(9B)、若干芯片、若干功率端子和若干输出端子形成关于第一坐标轴和第二坐标轴均对称的轴对称结构，所述第一坐标轴和所述第二坐标轴相互垂直。

2.根据权利要求1所述的轴对称的碳化硅功率模块封装结构，其特征在于，所述若干功率端子包括若干第一功率端子(10)、若干第二功率端子(11)、若干第三功率端子(12)和若干第四功率端子(13)，其中，所述若干第一功率端子(10)分布在所述第三功率铜面(9A)上且分布在所述第一交错部分；所述若干第三功率端子(12)分布在所述第一功率铜面(7)上且分布在所述第一交错部分；相邻的所述第一功率端子(10)与所述第三功率端子(12)交错摆放且彼此靠近；

所述若干第二功率端子(11)分布在所述第四功率铜面(9B)上且分布在所述第二交错部分；所述若干第四功率端子(13)分布在所述第一功率铜面(7)上且分布在所述第二交错部分；相邻的所述第二功率端子(11)与所述第四功率端子(13)交错摆放且彼此靠近；

所述若干第一功率端子(10)、若干第二功率端子(11)、若干第三功率端子(12)和若干第四功率端子(13)形成关于所述第一坐标轴和所述第二坐标轴均对称的轴对称结构。

3.根据权利要求2所述的轴对称的碳化硅功率模块封装结构，其特征在于，所述第一功率铜面(7)为DC+功率铜面，所述第三功率铜面(9A)和所述第四功率铜面(9B)为DC‑功率铜面；

所述若干第一功率端子(10)与所述若干第二功率端子(11)均为DC+功率端子，所述若干第三功率端子(12)与所述若干第四功率端子(13)均为DC‑功率端子。

4.根据权利要求1所述的轴对称的碳化硅功率模块封装结构，其特征在于，还包括：若干栅极端子、若干栅极电阻、若干开尔文源极端子、若干栅极铜面和若干开尔文源极铜面，其中，所述若干栅极铜面和所述若干开尔文源极铜面分布在所述第一功率铜面(7)的相对两侧，所述若干开尔文源极铜面分布在所述若干栅极铜面之间；每个芯片对应于两个相邻栅极铜面和一个开尔文源极铜面，且每个芯片通过所述键合线与开尔文源极铜面连接，通过键合线与所述两个相邻栅极铜面中远离所述开尔文源极铜面的栅极铜面连接；所述两个相邻栅极铜面中靠近所述开尔文源极铜面的栅极铜面上设置所述栅极端子；所述若干开尔文源极端子一一对应设置在所述若干开尔文源极铜面上，且相邻的所述开尔文源极端子和所述栅极端子相互靠近；

所述若干栅极电阻连接在所述两个相邻栅极铜面之间；

所述若干栅极端子、若干栅极电阻、若干开尔文源极端子、若干栅极铜面和若干开尔文源极铜面形成关于所述第一坐标轴和所述第二坐标轴均对称的轴对称结构。

5.根据权利要求4所述的轴对称的碳化硅功率模块封装结构，其特征在于，所述若干芯片包括第一芯片(1A)、第二芯片(1B)、第三芯片(1C)、第四芯片(1D)、第五芯片(1E)、第六芯片(1F)、第七芯片(1G)和第八芯片(1H)，其中，所述第一芯片(1A)、第二芯片(1B)、第三芯片(1C)、第四芯片(1D)分布在所述第一功率铜面(7)上且关于所述第一坐标轴和所述第二坐标轴均对称；所述第五芯片(1E)、第六芯片(1F)、第七芯片(1G)和第八芯片(1H)分布在所述第二功率铜面(8)上且关于所述第一坐标轴和所述第二坐标轴均对称；

所述第一芯片(1A)、第二芯片(1B)、第三芯片(1C)、第四芯片(1D)的源极分别通过键合线与所述第二功率铜面(8)相连，且分别通过键合线与对应的开尔文源极铜面相连，栅极分别通过键合线与对应的栅极铜面相连；

所述第五芯片(1E)和第六芯片(1F)的源极均通过键合线与所述第三功率铜面(9A)相连，且分别通过键合线与对应的开尔文源极铜面相连，栅极分别通过键合线与对应的栅极铜面相连；

所述第七芯片(1G)和第八芯片(1H)的源极均通过键合线与所述第四功率铜面(9B)相连，且分别通过键合线与对应的开尔文源极铜面相连，栅极分别通过键合线与对应的栅极铜面相连。

6.根据权利要求5所述的轴对称的碳化硅功率模块封装结构，其特征在于，所述若干输出端子包括若干第一输出端子(14)和若干第二输出端子(15)，其中，所述若干第二输出端子(15)与所述若干第一输出端子(14)形成关于所述第一坐标轴和所述第二坐标轴均对称的轴对称结构；所述若干第一输出端子(14)分布在所述第二功率铜面(8)上且分布在所述第五芯片(1E)和所述第七芯片(1G)的两侧；所述若干第二输出端子(15)分布在所述第二功率铜面(8)上且分布在所述第六芯片(1F)和所述第八芯片(1H)的两侧。

7.根据权利要求6所述的轴对称的碳化硅功率模块封装结构，其特征在于，所述第二功率铜面(8)为AC功率铜面；

所述若干第一输出端子(14)和若干第二输出端子(15)均为AC输出端子。

8.根据权利要求5所述的轴对称的碳化硅功率模块封装结构，其特征在于，所述若干栅极铜面包括一类栅极铜面与二类栅极铜面，所述一类栅极铜面包括第一栅极铜面(4A)、第二栅极铜面(4B)、第三栅极铜面(4C)、第四栅极铜面(4D)、第十三栅极铜面(4M)、第十四栅极铜面(4N)、第十五栅极铜面(4O)和第十六栅极铜面(4P)，所述二类栅极铜面包括第五栅极铜面(4E)、第六栅极铜面(4F)、第七栅极铜面(4G)、第八栅极铜面(4H)、第九栅极铜面(4I)、第十栅极铜面(4J)、第十一栅极铜面(4K)和第十二栅极铜面(4L)，其中，所述若干栅极端子一一对应地位于所述一类栅极铜面上；

所述第一栅极铜面(4A)和所述第九栅极铜面(4I)相邻且通过栅极电阻相连，所述第九栅极铜面(4I)通过键合线与所述第一芯片(1A)的栅极相连；

所述第二栅极铜面(4B)与所述第十栅极铜面(4J)相邻且通过栅极电阻相连，所述第十栅极铜面(4J)通过键合线与所述第二芯片(1B)的栅极相连；

所述第三栅极铜面(4C)与所述第十一栅极铜面(4K)相邻且通过栅极电阻相连，所述第十一栅极铜面(4K)通过键合线与所述第三芯片(1C)的栅极相连；

所述第四栅极铜面(4D)与所述第十二栅极铜面(4L)相邻且通过栅极电阻相连，所述第十二栅极铜面(4L)通过键合线与所述第四芯片(1D)的栅极相连；

所述第十三栅极铜面(4M)与所述第五栅极铜面(4E)相邻且通过栅极电阻相连，所述第五栅极铜面(4E)通过键合线与第五芯片(1E)的栅极相连；

所述第十四栅极铜面(4N)与所述第六栅极铜面(4F)相邻且通过栅极电阻相连，所述第六栅极铜面(4F)通过键合线与所述第六芯片(1F)的栅极相连；

所述第十五栅极铜面(4O)与所述第七栅极铜面(4G)相邻且通过栅极电阻相连，所述第七栅极铜面(4G)通过键合线与所述第七芯片(1G)的栅极相连；

所述第十六栅极铜面(4P)与所述第八栅极铜面(4H)相邻且通过栅极电阻相连，所述第八栅极铜面(4H)通过键合线与所述第八芯片(1H)的栅极相连；

所述若干栅极端子的数量为8个，所述若干栅极电阻的数量为8个。

9.根据权利要求8所述的轴对称的碳化硅功率模块封装结构，其特征在于，所述若干开尔文源极铜面包括第一开尔文源极铜面(3A)、第二开尔文源极铜面(3B)、第三开尔文源极铜面(3C)、第四开尔文源极铜面(3D)、第五开尔文源极铜面(3E)、第六开尔文源极铜面(3F)、第七开尔文源极铜面(3G)和第八开尔文源极铜面(3H)，其中，所述第一开尔文源极铜面(3A)通过键合线与所述第一芯片(1A)的源极连接，所述第二开尔文源极铜面(3B)通过键合线与所述第二芯片(1B)的源极连接，所述第三开尔文源极铜面(3C)通过键合线与所述第三芯片(1C)的源极连接，所述第四开尔文源极铜面(3D)通过键合线与所述第四芯片(1D)的源极连接，所述第五开尔文源极铜面(3E)通过键合线与所述第五芯片(1E)的源极连接，所述第六开尔文源极铜面(3F)通过键合线与所述第六芯片(1F)的源极连接，所述第七开尔文源极铜面(3G)通过键合线与所述第七芯片(1G)的源极连接，所述第八开尔文源极铜面(3H)通过键合线与所述第八芯片(1H)的源极连接；

所述第一开尔文源极铜面(3A)和所述第五开尔文源极铜面(3E)依次分布在所述第一栅极铜面(4A)和所述第十三栅极铜面(4M)之间，所述第一开尔文源极铜面(3A)上的开尔文源极端子与所述第一栅极铜面(4A)上的栅极端子靠近，所述第五开尔文源极铜面(3E)上的开尔文源极端子与所述第十三栅极铜面(4M)上的栅极端子靠近；

所述第二开尔文源极铜面(3B)和所述第六开尔文源极铜面(3F)分布在所述第二栅极铜面(4B)和所述第十四栅极铜面(4N)之间，所述第二开尔文源极铜面(3B)上的开尔文源极端子与所述第二栅极铜面(4B)上的栅极端子靠近，所述第六开尔文源极铜面(3F)的开尔文源极端子与所述第十四栅极铜面(4N)上的栅极端子靠近；

所述第三开尔文源极铜面(3C)和所述第七开尔文源极铜面(3G)分布在所述第三栅极铜面(4C)和所述第十五栅极铜面(4O)之间，所述第三开尔文源极铜面(3C)上的开尔文源极端子与所述第三栅极铜面(4C)上的栅极端子靠近，所述第七开尔文源极铜面(3G)上的开尔文源极端子与所述第十五栅极铜面(4O)上的栅极端子靠近；

所述第四开尔文源极铜面(3D)和所述第八开尔文源极铜面(3H)分布在所述第四栅极铜面(4D)和第十六栅极铜面(4P)之间，所述第四开尔文源极铜面(3D)上的开尔文源极端子与所述第四栅极铜面(4D)上的栅极端子靠近，所述第八开尔文源极铜面(3H)上的开尔文源极端子与所述第十六栅极铜面(4P)上栅极端子靠近；

所述若干开尔文源极端子的数量为8个。

10.根据权利要求4所述的轴对称的碳化硅功率模块封装结构，其特征在于，还包括绝缘层(32)和散热层(33)，其中，所述绝缘层(32)和所述散热层(33)依次层叠在所述第一功率铜面(7)、所述第二功率铜面(8)、所述第三功率铜面(9A)、所述第四功率铜面(9B)、所述若干栅极铜面和所述若干开尔文源极铜面形成的金属层的下表面。