1.一种均流的碳化硅功率模块，其特征在于，包括：基板、若干第一功率芯片(1)、若干第二功率芯片(5)、若干第一功率端子(6)、若干第二功率端子(8)和若干第三功率端子(7)，所述基板包括第一功率导电面(12)、第二功率导电面(14)和第三功率导电面(13)，其中，所述第一功率导电面(12)、所述第三功率导电面(13)、所述第二功率导电面(14)依次间隔排布，所述第三功率导电面(13)和所述第二功率导电面(14)之间倾斜交错以使得倾斜交错位置处的电流路径相互平行交错且方向相反；

所述若干第一功率芯片(1)并联分布在所述第一功率导电面(12)上，所述若干第一功率芯片(1)的源极焊盘与所述第二功率导电面(14)连接；

所述若干第二功率芯片(5)并联分布在所述第二功率导电面(14)上，所述若干第二功率芯片(5)与所述若干第一功率芯片(1)一一对应且沿碳化硅功率模块的水平中心轴对称分布，所述若干第二功率芯片(5)的源极焊盘与所述第三功率导电面(13)连接；

所述若干第一功率端子(6)分布在所述第一功率导电面(12)上且分布在所述若干第一功率芯片(1)的两侧；所述若干第二功率端子(8)分布在所述第二功率导电面(14)上且分布在所述若干第二功率芯片(5)的两侧，与所述若干第一功率端子(6)一一对应地平行排列；

所述若干第三功率端子(7)分布在所述第三功率导电面(13)上，与所述若干第一功率端子(6)一一对应地平行排列且彼此靠近。

2.根据权利要求1所述的均流的碳化硅功率模块，其特征在于，

所述若干第一功率芯片(1)包括桥臂上管芯片，所述若干第二功率芯片(5)包括桥臂下管芯片。

3.根据权利要求1所述的均流的碳化硅功率模块，其特征在于，

所述若干第一功率芯片(1)和所述若干第二功率芯片(5)的数量均为4个；

所述若干第一功率端子(6)、所述若干第二功率端子(8)和所述若干第三功率端子(7)的数量均为8个。

4.根据权利要求1所述的均流的碳化硅功率模块，其特征在于，所述基板还包括第一驱动导电面(15)、第二驱动导电面(16)、第三驱动导电面(17)、第四驱动导电面(18)，所述碳化硅功率模块还包括若干第一驱动端子(3)、若干第二驱动端子(4)、若干第三驱动端子(10)和若干第四驱动端子(11)，其中，所述第二驱动导电面(16)、所述第一驱动导电面(15)依次间隔排布在所述第一功率导电面(12)的一侧；

所述若干第一功率芯片(1)的源极焊盘与所述第二驱动导电面(16)之间实现开尔文源极连接，栅极焊盘与所述第一驱动导电面(15)连接；

所述若干第一驱动端子(3)分布在所述第二驱动导电面(16)上，所述若干第二驱动端子(4)分布在所述第一驱动导电面(15)上；

所述第三驱动导电面(17)、所述第四驱动导电面(18)依次间隔排布在所述第二功率导电面(14)的一侧；

所述若干第二功率芯片(5)的源极焊盘与所述第三驱动导电面(17)之间实现开尔文源极连接，栅极焊盘与所述第四驱动导电面(18)连接；

所述若干第三驱动端子(10)分布在所述第三驱动导电面(17)上，所述若干第四驱动端子(11)分布在所述第四驱动导电面(18)。

5.根据权利要求4所述的均流的碳化硅功率模块，其特征在于，所述若干第一驱动端子(3)、所述若干第二驱动端子(4)、所述若干第三驱动端子(10)和所述若干第四驱动端子(11)的数量均为2个。

6.根据权利要求4所述的均流的碳化硅功率模块，其特征在于，所述基板还包括若干第一栅极电阻连接导电面(19)和若干第二栅极电阻连接导电面(20)，所述碳化硅功率模块还包括若干第一栅极电阻(2)和若干第二栅极电阻(9)，其中，所述若干第一栅极电阻连接导电面(19)分布在所述第一驱动导电面(15)和所述第二驱动导电面(16)之间且被所述第一驱动导电面(15)和所述第二驱动导电面(16)包围；

所述若干第一栅极电阻(2)一一对应设置在所述若干第一栅极电阻连接导电面(19)和所述第一驱动导电面(15)上；

所述若干第一功率芯片(1)的栅极焊盘与所述若干第一栅极电阻连接导电面(19)一一对应连接，每个所述第一功率芯片(1)的栅极焊盘通过所述第一栅极电阻连接导电面(19)、所述第一栅极电阻(2)连接至所述第一驱动导电面(15)上；

所述若干第二栅极电阻连接导电面(20)分布在所述第三驱动导电面(17)和所述第四驱动导电面(18)之间且被所述第三驱动导电面(17)和所述第四驱动导电面(18)包围；

所述若干第二栅极电阻(9)一一对应设置在所述若干第二栅极电阻连接导电面(20)和所述第四驱动导电面(18)上；

所述若干第二功率芯片(5)的栅极焊盘与所述若干第二栅极电阻连接导电面(20)一一对应连接，每个所述第二功率芯片(5)的栅极焊盘通过所述第二栅极电阻连接导电面(20)、所述第二栅极电阻(9)连接至所述第四驱动导电面(18)上。

7.根据权利要求6所述的均流的碳化硅功率模块，其特征在于，

所述若干第一栅极电阻连接导电面(19)和所述若干第二栅极电阻连接导电面(20)的数量均为4个；

所述若干第一栅极电阻(2)和所述若干第二栅极电阻(9)的数量均为4个。

8.根据权利要求1所述的均流的碳化硅功率模块，其特征在于，所述基板还包括陶瓷层(21)和底层导电面(22)，其中，所述陶瓷层(21)和所述底层导电面(22)依次设置在所述第一功率导电面(12)、所述第二功率导电面(14)、所述第三功率导电面(13)所形成平面的下表面。

9.根据权利要求8所述的均流的碳化硅功率模块，其特征在于，还包括散热模块，其中，所述散热模块设置在所述底层导电面(22)的下表面。

10.根据权利要求9所述的均流的碳化硅功率模块，其特征在于，所述散热模块包括散热器、散热基板中的一种或多种；

所述散热器包括自然风冷却散热器、强制风冷却散热器、液体冷却散热器中的一种或多种；

所述散热基板包括金属基板、陶瓷基板中的一种或多种。