1.一种半导体处理设备，其特征在于：包括基座、外壳和晶舟，外壳和晶舟均可拆卸连接在基座上，基座上设有注气端口，外壳上设有抽气端口，外壳罩覆在晶舟外侧，晶舟包括若干层竖向并排设置的支撑平台，每层支撑平台的上方均设有注气盘，注气盘包括可拆卸固定连接在晶舟上的上盘体，以及转动连接在上盘体底部的下盘体，上盘体内部设有连通的加压气道和叶轮腔，加压气道与所述注气端口连通，叶轮腔内设有与下盘体同轴固定的叶轮，下盘体内部设有与叶轮腔连通的布气腔，布气腔的底部开设有长度为晶圆半径70％‑

90％的条形布气口。

2.根据权利要求1所述的一种半导体处理设备，其特征在于：所述晶舟包括底座和顶板，底座与顶板之间可拆卸连接有多个立柱，多个立柱呈环形均匀分布，底座内设有与所述注气端口连通的注气夹层，立柱内设有与注气夹层连通的注气道，立柱上竖向并排设有若干注气孔，注气孔连通注气道和所述加压气道。

3.根据权利要求2所述的一种半导体处理设备，其特征在于：所述立柱上竖向并排开设有若干与支撑平台间隔设置的插槽，所述上盘体的侧端插接在所述插槽中，所述注气孔位于插槽底部。

4.根据权利要求3所述的一种半导体处理设备，其特征在于：所述条形布气口呈环形均布有多个。

5.根据权利要求4所述的一种半导体处理设备，其特征在于：所述基座上端开设有安装槽，所述注气端口位于安装槽中部，所述底座插接在安装槽内，底座中部开设有连通注气夹层与注气端口的注气口。

6.根据权利要求5所述的一种半导体处理设备，其特征在于：所述叶轮腔位于上盘体的中部，所述加压气道环绕叶轮腔设有多个，加压气道的数量与立柱的数量相同，加压气道沿叶轮轴的切线方向倾斜设置。

7.根据权利要求6所述的一种半导体处理设备，其特征在于：叶轮腔的底部环绕叶轮轴设有多个泄压孔组，泄压孔组包括若干连通叶轮腔与布气腔的泄压孔，相邻泄压孔组之间设有扇形的注气区，所述加压气道与叶轮腔的连通端位于注气区。

8.根据权利要求7所述的一种半导体处理设备，其特征在于：所述叶轮的叶片数量大于所述泄压孔组的数量，使至少任一注气区内存在一个叶片。

9.根据权利要求8所述的一种半导体处理设备，其特征在于：所述加压气道位于上盘体外缘的开口为喇叭口。

10.根据权利要求1所述的一种半导体处理设备，其特征在于：所述外壳内部设有与抽气端口连通的抽气夹层，外壳内壁上开设有若干与抽气夹层连通的抽气孔，抽气孔横向朝向晶舟设置。