1.一种基于石墨烯竖立片层制备纳米金刚石的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：(1)钽丝碳化：

在安装有钽丝的热丝化学气相沉积设备中，以纯氢气和丙酮A为碳化气源进行钽丝碳化，所述纯氢气的流量为150～200sccm，所述丙酮A以流量为50～80sccm的氢气鼓泡带入反应室中，所述钽丝碳化的程序为：控制碳化气压为5.3～6kPa，5～7V碳化5～10min，10～12V碳化5～10min，13～15V碳化2～5min，碳化结束，停止通入丙酮，在氢气气氛中迅速降低电压至0，得到经碳化的钽丝；所述的丙酮A、丙酮B均为丙酮，字母只是区分不同阶段的丙酮；

(2)热丝化学气相沉积生长含钽石墨烯竖立片层

将清洗后的石英衬底放入步骤(1)中所述的热丝化学气相沉积设备，以步骤(1)中所述经碳化的钽丝为加热丝；以丙酮B为碳源，所述丙酮B以流量为80～120sccm的氢气鼓泡带入反应室中，生长功率为1600～1800W，生长压力为0.6‑1.5kPa，生长时间为5～30min；生长结束后，停止通入气体，以0.5‑2V/min的速率降低功率至0，得到含钽石墨烯竖立片层；

(3)含氧气氛封管退火

将步骤(2)所述的含钽石墨烯片层置于石英封口系统中，控制封管时石英管内的气压为100～500Pa，管内气体为含氧气体；将石英管置于马弗炉中800～1000℃保温30～60min，室温冷却，石墨烯竖立片层上得到金刚石结构。

2.如权利要求1所述的基于石墨烯竖立片层制备纳米金刚石的方法，其特征在于：步骤(1)中所述钽丝碳化的程序为：所述纯氢气的流量为200sccm，所述丙酮A以流量为

80sccm的氢气鼓泡带入反应室中，控制碳化气压为5.7kPa，7V碳化10min，12V碳化10min，

15V碳化5min。

3.如权利要求1所述的基于石墨烯竖立片层制备纳米金刚石的方法，其特征在于：步骤(2)中所述清洗后的石英衬底按如下方法得到：将尺寸为12×12×1mm的双面抛光石英片依次在丙酮、乙醇中超声清洗10～20min，去离子水冲洗干净，氮气吹干，得到所述清洗后的石英衬底。

4.如权利要求1所述的基于石墨烯竖立片层制备纳米金刚石的方法，其特征在于：步骤(2)中所述丙酮B以流量为100sccm的氢气鼓泡带入反应室中，生长功率为1800W，生长压力为1.0kPa，生长时间为30min；生长结束后，停止通入气体，以1V/min的速率降低功率至0。

5.如权利要求1所述的基于石墨烯竖立片层制备纳米金刚石的方法，其特征在于：步骤(3)中所述含氧气体为空气。

6.如权利要求1所述的基于石墨烯竖立片层制备纳米金刚石的方法，其特征在于：步骤(3)中所述含氧气体所含氧气与所述的含钽石墨烯片层的质量比为1:20‑100。

7.如权利要求1所述的基于石墨烯竖立片层制备纳米金刚石的方法，其特征在于：步骤(3)中所述石英管的体积为15‑20mL。

8.如权利要求1所述的基于石墨烯竖立片层制备纳米金刚石的方法，其特征在于：步骤(3)中控制封管时石英管内的气压为100Pa。

9.如权利要求1所述的基于石墨烯竖立片层制备纳米金刚石的方法，其特征在于：步骤(3)中所述保温的温度为1000℃，时间为30min。

10.如权利要求1所述的基于石墨烯竖立片层制备纳米金刚石的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：(1)钽丝碳化：

在安装有钽丝的热丝化学气相沉积设备中，以纯氢气和丙酮A为碳化气源进行钽丝碳化，所述纯氢气的流量为200sccm，所述丙酮A以流量为80sccm的氢气鼓泡带入反应室中，所述钽丝碳化的程序为：控制碳化气压为5.7kPa，7V碳化10min，12V碳化10min，15V碳化5min，碳化结束，停止通入丙酮，在氢气气氛中迅速降低电压至0，得到经碳化的钽丝；

(2)热丝化学气相沉积生长含钽石墨烯竖立片层

将清洗后的石英衬底放入步骤(1)中所述的热丝化学气相沉积设备，以步骤(1)中所述经碳化的钽丝为加热丝；以丙酮B为碳源，所述丙酮B以流量为100sccm的氢气鼓泡带入反应室中，生长功率为1800W，生长压力为1.0kPa，生长时间为30min；生长结束后，停止通入气体，以1V/min的速率降低功率至0，得到含钽石墨烯竖立片层；

(3)含氧气氛封管退火

将步骤(2)所述的含钽石墨烯片层置于石英封口系统中，控制封管时石英管内的气压为100Pa，管内气体为含氧气体；将石英管置于马弗炉中1000℃保温30min，室温冷却，石墨烯竖立片层上得到金刚石结构。