1.一种硫离子注入纳米金刚石‑石墨烯复合薄膜，其特征在于，按如下方法制备得到：(1)将金刚石粉和丙三醇混合，分散均匀，得到金刚石粉研磨膏，利用所得金刚石粉研磨膏打磨单晶硅片，之后将硅片清洗，吹干，完成种晶过程；

(2)将完成种晶过程的单晶硅片放入热丝化学气相沉积设备，以丙酮为碳源，采用氢气鼓泡方式将丙酮带入到反应室中进行薄膜生长，生长过程的工作参数为：氢气、丙酮的流量比200：90sccm，生长功率2000～2400W，控制生长压力1.0～2.6kPa，薄膜生长时间40～

80min，生长结束之后，在氢气氛中以0.5～3V/min的速率缓慢降低功率至0，完成纳米金刚石‑石墨烯复合薄膜的制备；

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(3)首先对纳米金刚石‑石墨烯复合薄膜进行硫离子注入，注入剂量为10 cm ，注入能量为55keV；随后对经硫离子注入之后的薄膜进行800～1000℃和20～30min的真空退火处理，制得成品。

2.如权利要求1所述的硫离子注入纳米金刚石‑石墨烯复合薄膜，其特征在于，步骤(1)中，所述金刚石粉为一级金刚石粉。

3.如权利要求1所述的硫离子注入纳米金刚石‑石墨烯复合薄膜，其特征在于，步骤(1)中，所述丙三醇的体积用量以金刚石粉的质量计为50～100mL/g。

4.如权利要求1所述的硫离子注入纳米金刚石‑石墨烯复合薄膜，其特征在于，步骤(1)中，单晶硅片的打磨为：取金刚石粉研磨膏于抛光绒布上，对单晶硅片进行打磨，打磨时间为30～60min。

5.如权利要求1所述的硫离子注入纳米金刚石‑石墨烯复合薄膜，其特征在于，步骤(1)中，打磨完毕后，将硅片依次置于丙酮、乙醇中超声清洗，之后氮气吹干，完成种晶过程，用擦镜纸包好备用。

6.如权利要求1所述的硫离子注入纳米金刚石‑石墨烯复合薄膜，其特征在于，步骤(2)中，薄膜生长过程中，生长压力为2.0～2.2kPa，生长功率为2000～2200W，生长时间为40～

60min。