1.一种纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜，其特征在于所述纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜按如下方法制备：(1)单晶硅衬底表面打磨种晶预处理：将金刚石粉和丙三醇充分分散混合，得到金刚石研磨膏；取所述金刚石研磨膏于抛光绒布上，按压本征单晶硅片在研磨膏处来回打磨5～

40min，所得打磨过的硅片依次在丙酮、无水乙醇中超声清洗1～30min，氮气吹干，得到种晶后的单晶硅；

(2)热丝化学气相沉积生长薄膜：将步骤(1)所述的种晶后的单晶硅作为衬底放入热丝化学气相沉积设备，以丙酮为碳源，所述丙酮采用流量为70‑110sccm的氢气鼓泡带入到反应室中，同时还通入流量为100‑300sccm的纯氢气，控制生长功率为2000～2600W，生长压力为1.0～2.5kPa进行纳米金刚石颗粒层生长10～50min；调整纯氢气流量为0～20sccm，氢气流量为50～100sccm，降低功率至1300～1800W，进行竖立纳米金刚石/石墨烯复合片层的生长0.5～10min；停止通入纯氢气和丙酮，以0.1～5V/min的速率缓慢降低功率至0，得到含竖立纳米金刚石/石墨烯复合片层的硅片；

(3)微波氩气/氧气混合等离子体刻蚀处理：将步骤(2)所述的含竖立纳米金刚石/石墨烯复合片层的硅片置于微波等离子体气相沉积设备中，通入氩气与氧气的混合等离子体，其中氩气与氧气的总流量为80～120sccm，控制混合等离子体中氧气的流量为10～20sccm；

控制功率400～800W，气压10～20Torr，处理时间2～8min，得到所述纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜。

2.如权利要求1所述的纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜，其特征在于：步骤(1)中所述的金刚石粉粒径为500nm。

3.如权利要求1所述的纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜，其特征在于：步骤(1)中所述本征单晶硅片为浙江立晶光电科技的单面抛光硅片，厚度500±10μm，直径100±

0.4mm，电阻率0.011‑0.01Ωcm,型号/晶向：P<100>。

4.如权利要求1所述的纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜，其特征在于：步骤(1)中所述丙三醇的体积以所述金刚石粉的质量计为50‑150mL/g。

5.如权利要求1所述的纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜，其特征在于：步骤(2)中所述丙酮由流量为90sccm的氢气鼓泡带入到反应室中，同时还通入流量为200sccm的纯氢气。

6.如权利要求1所述的纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜，其特征在于：步骤(2)中所述生长功率为2200W，生长压力为1.6kPa，生长时间为20min。

7.如权利要求1所述的纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜，其特征在于：步骤(3)中所述氩气与氧气的总流量为100sccm。

8.如权利要求1所述的纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜，其特征在于：步骤(3)中所述氧气的流量为10sccm。

9.如权利要求1所述的纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜，其特征在于：步骤(3)中所述功率600W，气压为15Torr，处理时间为4min。

10.如权利要求1所述的纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜，其特征在于所述纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜按如下方法制备：(1)单晶硅衬底表面打磨种晶预处理：将金刚石粉和丙三醇充分分散混合，得到金刚石研磨膏；取所述金刚石研磨膏于抛光绒布上，按压本征单晶硅片在研磨膏处来回打磨

30min，所得打磨过的硅片依次在丙酮、无水乙醇中超声清洗5min，氮气吹干，得到种晶后的单晶硅；

所述丙三醇的体积以所述金刚石粉的质量计为100mL/g；

(2)热丝化学气相沉积生长薄膜：将步骤(1)所述的种晶后的单晶硅作为衬底放入热丝化学气相沉积设备，以丙酮为碳源，所述丙酮采用流量为90sccm的氢气鼓泡带入到反应室中，同时还通入流量为200sccm，控制生长功率为2200W，生长压力为1.6kPa进行纳米金刚石颗粒层生长20min；调整纯氢气流量为0sccm，氢气流量为100sccm，降低功率至1800W，进行竖立纳米金刚石/石墨烯复合片层的生长3min；停止通入纯氢气和丙酮，以0.5V/min缓慢降低功率至0，得到含竖立纳米金刚石/石墨烯复合片层的硅片；

(3)微波氩气/氧气混合等离子体刻蚀处理：将步骤(2)所述的含竖立纳米金刚石/石墨烯复合片层的硅片置于微波等离子体气相沉积设备中，通入氩气与氧气的混合等离子体，其中氩气与氧气的总流量为100sccm，控制混合等离子体中氧气的流量为10sccm；控制功率

600W，气压15Torr，处理时间4min，得到所述纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜。