1.一种竖立石墨烯转变为金刚石的方法，其特征在于所述方法为：(1)在直流辉光放电等离子体化学气相沉积设备中，以预处理后的单晶硅片为衬底，以钼为电极，以甲烷和氢气为反应气体，进行直流辉光放电等离子体化学气相沉积，得到具有单分散钼原子的竖立石墨烯薄膜；

所述直流辉光放电等离子体化学气相沉积的条件为：所述甲烷的流入流量为40±

3sccm，所述氢气的流入流量为500±3sccm，反应腔室气压为57±2Torr，功率为3.1‑3.7kW，所述衬底的温度为930‑970℃，沉积时间为55‑65min；

(2)将步骤(1)制备的具有单分散钼原子的竖立石墨烯薄膜置于管式炉中，在真空度为

4‑6Pa、700‑1100℃下退火25‑50min，竖立石墨烯转变为金刚石。

2.如权利要求1所述的竖立石墨烯转变为金刚石的方法，其特征在于：步骤(1)所述的预处理为：对单晶硅片进行切割、打磨、清洗。

3.如权利要求2所述的竖立石墨烯转变为金刚石的方法，其特征在于所述预处理为：用金刚石刀将所述单晶硅片分割成尺寸为1×1cm大小，在1000目的砂纸上来回按压打磨3‑5分钟，用无水乙醇清洗，干燥。

4.如权利要求1所述的竖立石墨烯转变为金刚石的方法，其特征在于步骤(1)中，所述甲烷的流入流量为40sccm。

5.如权利要求1所述的竖立石墨烯转变为金刚石的方法，其特征在于步骤(1)中，所述氢气的流入流量为500sccm。

6.如权利要求1所述的竖立石墨烯转变为金刚石的方法，其特征在于步骤(1)中，反应腔室气压为57±0.1Torr。

7.如权利要求1所述的竖立石墨烯转变为金刚石的方法，其特征在于步骤(1)中，功率为3.3±0.1kW。

8.如权利要求1所述的竖立石墨烯转变为金刚石的方法，其特征在于：步骤(1)中，所述衬底的温度为950℃，沉积时间为60min。

9.如权利要求1所述的竖立石墨烯转变为金刚石的方法，其特征在于：步骤(2)中，所述退火温度为700℃。

10.如权利要求1所述的竖立石墨烯转变为金刚石的方法，其特征在于：步骤(2)中，所述退火时间为30min。