1.一种晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜，其特征在于，包括多层晶体Cu层和多层MgCuY非晶层；

多层晶体Cu层和多层MgCuY非晶层交替叠加，MgCuY非晶层中各元素的原子百分含量为Mg:80％‑90％，Cu:3％‑8％，Y:7％‑12％；

MgCuY非晶层单层厚度为4±0.5nm，晶体Cu层单层厚度为40±2nm，多层膜的总厚度为

1.04±0.02μm。

2.一种基于权利要求1所述晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(1)，将基体放入密封腔体中；

步骤(2)，将金属Cu靶安装在A号靶材座上作为A靶，将MgCuY合金靶安装在B号靶材座上作为B靶；

步骤(3)，将密封腔体抽真空，达到所需真空度后，通入离化气体，调整工作气压，然后采用A靶和B靶交替溅射，在基体上交替沉积MgCuY非晶层和晶体Cu层，直到厚度达到要求，得到晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜。

3.根据权利要求2所述的晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜的制备方法，其特征在于，基体为单面抛光的圆形单晶硅基片，直径为50mm。

4.根据权利要求2所述的晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜的制备方法，其特征在于，基体放入密封腔体前，先后用蒸馏水和酒精超声清洗10‑15分钟，再吹干。

5.根据权利要求2所述的晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜的制备方法，其特征在于，腔体‑4 ‑4真空度为7.8×10 ‑8.0×10 Pa。

6.根据权利要求2所述的晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜的制备方法，其特征在于，离化气体为Ar气，气流量为20±2sccm，工作气压为2.5‑2.6Pa。

7.根据权利要求2所述的晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜的制备方法，其特征在于，A靶选用直流电源，功率为20±1W，沉积速率为8±0.6nm/min。

8.根据权利要求2所述的晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜的制备方法，其特征在于，B靶选用射频电源，功率为30±1W，沉积速率为4±0.4nm/min。

9.根据权利要求2所述的晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜的制备方法，其特征在于，溅射时，基片以3转/分钟的速度匀速旋转。

10.根据权利要求2所述的晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜的制备方法，其特征在于，晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜沉积完成后，等待密封腔体冷却60‑90min后从密封腔体中取出。