1.一种耐磨MgCuY/Cu的非晶/晶体多层薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤（1），将基体放入密封腔体中；

基体为单面抛光的圆形单晶硅基片，直径为50mm；

基体放入密封腔体前，先后用蒸馏水和酒精超声清洗10‑15分钟，再吹干；

步骤（2），将金属Cu靶安装在A号靶材座上作为A靶，将MgCuY合金靶安装在B号靶材座上作为B靶；

步骤（3），将密封腔体抽真空，达到所需真空度后，通入离化气体，调整工作气压，然后采用A靶和B靶交替溅射，在基体上交替沉积MgCuY层和Cu层，直到厚度达到要求，得到耐磨MgCuY/Cu的非晶/晶体多层薄膜；

所述耐磨MgCuY/Cu的非晶/晶体多层薄膜包括交替叠加的非晶MgCuY层和金属Cu层；

MgCuY层中各元素的原子百分含量为Mg: 80％‑88％，Cu: 3％‑8％，Y: 9％‑12％；

MgCuY层单层厚度为4nm，金属Cu单层层厚度为4‑32nm，多层薄膜的总厚度为0.84‑1.06µm。

2. 根据权利要求1所述的耐磨MgCuY/Cu的非晶/晶体多层薄膜的制备方法，其特征在‑4  ‑4 于，腔体真空度为7.6×10 ‑ 8.0×10 Pa。

3. 根据权利要求1所述的耐磨MgCuY/Cu的非晶/晶体多层薄膜的制备方法，其特征在于，离化气体为Ar气，气流量为20±2 sccm，工作气压为2.6±0.1 Pa。

4. 根据权利要求1所述的耐磨MgCuY/Cu的非晶/晶体多层薄膜的制备方法，其特征在于，A靶选用直流电源，功率为20±1W，沉积速率为8±0.6 nm/min。

5. 根据权利要求1所述的耐磨MgCuY/Cu的非晶/晶体多层薄膜的制备方法，其特征在于，B靶选用射频电源，功率为30±1 W，沉积速率为4±0.4 nm/min。

6.根据权利要求1所述的耐磨MgCuY/Cu的非晶/晶体多层薄膜的制备方法，其特征在于，溅射时，基片以3转/分钟的速度匀速旋转。

7.一种基于权利要求1‑6任意一项所述制备方法制得的耐磨MgCuY/Cu的非晶/晶体多层薄膜。

8.一种权利要求7所述耐磨MgCuY/Cu的非晶/晶体多层薄膜在微纳器件上的应用。