1.一种高耐磨CoFeTaB/MgCuY非晶/非晶多层膜，其特征在于，由非晶CoFeTaB层和非晶MgCuY层交替叠加组成，各层成分配比为：CoFeTaB层中Co、Fe的含量依次为55at％‑60at％、

27at％‑30at％，MgCuY层中Mg的含量为78at％‑86at％，其余Ta、B、Cu、Y含量不超过10at％，不可避免的其它杂质含量低于0.03at％，非晶/非晶多层膜中MgCuY非晶层厚度为3±

0.5nm，CoFeTaB非晶层厚度为12±2.4nm，非晶/非晶多层膜的总厚度为1±0.2μm，所述的非晶/非晶多层膜由双靶磁控溅射交替沉积制备所得。

2.采用如权利要求1所述的一种高耐磨CoFeTaB/MgCuY非晶/非晶多层膜的制备方法，其特征在于，所述非晶/非晶多层膜由双靶磁控溅射交替沉积制备所得，具体方法包括以下步骤：

1)将单面抛光的圆形单晶硅基片超声清洗，吹干，放入基体托盘中，准备镀膜；

2)将CoFeTaB合金靶安装在A号靶材座上作为A靶，将MgCuY合金靶安装在B号靶材座上作为B靶；

3)工作时，腔体抽真空，达到所需真空度后，通入离化气体，调整工作气压，然后开始交替沉积MgCuY层和CoFeTaB层，通过调节溅射时间来控制每一层的厚度和非晶/非晶薄膜的总厚度。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述非晶/非晶多层膜膜中MgCuY层和CoFeTaB层单层厚度比为1:3‑1:5。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤1)中，单面抛光单晶硅基片的取向为(100)，直径为50mm，分别用酒精和蒸馏水超声清洗10‑15分钟至洁净。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤2)中，靶材A成分原子百分比为Co43Fe20Ta5.5B31.5、靶材B成分原子百分比为Mg85Cu5Y10，纯度均大于99.9％。

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6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤3)中，腔体真空度7.5×10 ‑8.5×104

Pa，离化气体为Ar气，气流量30‑40sccm，工作气压为2.5‑2.7Pa。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤3)中，A号靶选用直流电源，功率50±

3W，沉积速率4±0.8nm/min。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤3)中，B号靶选用射频电源，功率25W±

2，沉积速率3±0.5nm/min。