1.一种集成自偏置PMOS的抗短路SJ‑LIGBT器件，包括埋氧层(3)、衬底(4)、漂移区、阳极区和阴极区，所述衬底(4)、埋氧层(3)和漂移区从下至上依次层叠，所述阳极区和阴极区分别位于漂移区两侧；其特征在于：所述漂移区包括漂移区N‑pillar(5)和漂移区P‑pillar(6)；所述阳极区包括阳极P+区(1)、阳极N‑buffer区(2)和阳极金属电极(17)，其中阳极N‑buffer区(2)包裹阳极P+区(1)，阳极金属电极(17)设置于阳极P+区(1)上；所述阴极区包括阴极N+区(10)、阴极P+区(11)和阴极金属电极(16)，其中阴极金属电极(16)设置于阴极P+区(11)上；

该器件还包括P‑body区(9)、N‑CS区(8)、P‑shield区(7)、PMOS栅氧化层(12)、PMOS栅极金属电极(13)、NMOS栅氧化层(14)和NMOS栅极金属电极(15)；所述P‑body区(9)包裹阴极P+区(11)和阴极N+区(10)；所述N‑CS区(8)与P‑body区(9)、P‑shield区(7)和漂移区N‑pillar(5)相邻；所述P‑shield区(7)另与漂移区N‑pillar(5)和漂移区P‑pillar(6)相邻；所述PMOS栅氧化层(12)和NMOS栅氧化层(14)与所述阴极金属电极(16)相邻但不相接，所述PMOS栅极金属电极(13)位于PMOS栅氧化层(12)上方，所述NMOS栅极金属电极(15)位于NMOS栅氧化层(14)上方；

PMOS栅氧化层(12)、PMOS栅极金属电极(13)以及阴极P+区(11)、P‑body区(9)、N‑CS区(8)、阴极金属电极(16)和P‑shield区(7)构成自偏置PMOS；NMOS栅氧化层(14)、NMOS栅极金属电极(15)以及阴极N+区(10)、P‑body区(9)、N‑CS区(8)、漂移区N‑pillar(5)和阴极金属电极(16)构成普通NMOS。

2.根据权利要求1所述的SJ‑LIGBT器件，其特征在于：所述自偏置PMOS的源极为P‑shield区(7)，漏极为阴极P+区(11)，衬底为N‑CS区(8)。

3.根据权利要求1所述的SJ‑LIGBT器件，其特征在于：所述PMOS栅极金属电极(13)与阴极金属电极(16)连接。

4.根据权利要求1所述的SJ‑LIGBT器件，其特征在于：所述PMOS栅氧化层(12)与NMOS栅氧化层(14)位于同一平面，易于集成。

5.根据权利要求1所述的SJ‑LIGBT器件，其特征在于：所述自偏置PMOS在器件导通时能够自动开启降低饱和电流，在器件关闭时辅助抽取空穴降低关断损耗。

6.根据权利要求1所述的SJ‑LIGBT器件，其特征在于：所述P‑shield区(7)在器件工作于正向阻断的状态下能够屏蔽N‑CS区(8)的高电场从而提升耐压。