1.一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述复合型RC-LIGBT器件包括左边的LDMOS有源区以及右边的LIGBT有源区，左右两边呈对称结构。

2.根据权利要求1所述一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述LDMOS有源区从左到右设置金属集电极Ⅰ(12)、集电极N-Collector(11)、N-漂移区(9)、N-bufferⅠ(10)、栅氧化层Ⅰ(4)、栅极Ⅰ(3)、N+电子发射极Ⅰ(2)、发射极(1)、P-body(6)介质隔离层(16)和衬底(17)；

所述LIGBT有源区从右到左设置金属集电极Ⅱ(15)、集电极P-Collector(14)、N-bufferⅡ(13)、N-漂移区(9)、栅氧化层Ⅱ(8)、栅极Ⅱ(7)、P-body(6)、N+电子发射极Ⅱ(5)、发射极(1)，P-body(6)介质隔离层(16)和衬底(17)。

3.根据权利要求2所述一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述LDMOS有源区和所述LIGBT有源区共用P-body(6)、发射极金属电极(1)、N-漂移区(9)、介质隔离层(16)和衬底(17)，N-漂移区(9)下部依次为介质隔离层(16)和衬底(17)。

4.根据权利要求1所述一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述复合型RC-LIGBT器件的版图为圆形结构或者方形结构。

5.根据权利要求1所述一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述复合型RC-LIGBT器件从内向外分为四层：第一层为最中心的发射极(1)；

第二层左边为栅极Ⅰ(3)，右边为栅极Ⅱ(7)，栅极Ⅰ与栅极Ⅱ相连；

第三层为相连的LDMOS有源区和LIGBT有源区共用的N-漂移区漂移区(9)；

最外层左边为集电极N-Collector(11)，右边为集电极P-Collector(14)，所述集电极N-Collector的金属集电极Ⅰ(12)与所述集电极P-Collector 14的金属集电极Ⅱ(15)在使用时相连。

6.根据权利要求2所述一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述栅极Ⅰ(3)与所述栅极Ⅱ(7)相连，金属集电极Ⅰ(12)与金属集电极Ⅱ(15)相连。

7.根据权利要求2所述一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述N+电子发射极Ⅰ(2)与所述N+电子发射极Ⅱ(5)的大小和浓度一致。