1.一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC‑LIGBT器件，其特征在于：该器件从左至右分为LIGBT区域、反向导通MOS区域和低关断损耗MOS区域，所述LIGBT区域包括P+发射极(1)、N+电子发射极(2)、P‑body(3)、N型漂移区(4)、二氧化硅绝缘层(5)、P型衬底(6)、N型缓冲层(7)、P+集电极(8)、集电极(12)、栅极(14)、发射极(15)；

反向导通MOS区域：从左至右分别设置N‑base(11)、P‑base(10)、N+集电极(9)、多晶硅连接层(16)；所述N‑base(11)的上侧与N型缓冲层(7)的上侧平齐，左侧被N型缓冲层(7)完全覆盖，右侧与P‑base(10)的左侧紧密相连，下侧与P+集电极(8)的上侧紧密相连；P‑base(10)的上侧与N型缓冲层(7)的上侧平齐，右侧与N+集电极(9)的左侧紧密相连，下侧与P+集电极(8)的上侧紧密相连；N+集电极(9)的上侧与N型缓冲层(7)的上侧平齐，右侧与器件的右侧紧密相连，下侧与P+集电极(8)的上侧紧密相连；多晶硅连接层(16)将N‑base(11)与反向导通MOS的栅极短接，实现了器件的反向导通；

低关断损耗MOS区域：从左至右分别设置N‑base(11)、P‑base(10)、N+集电极(9)、多晶硅层(13)；所述N‑base(11)的上侧与N型缓冲层(7)的上侧平齐，左侧被N型缓冲层(7)完全覆盖，右侧与P‑base(10)的左侧紧密相连，下侧与P+集电极(8)的上侧紧密相连；P‑base(10)的上侧与N型缓冲层(7)的上侧平齐，右侧与N+集电极(9)的左侧紧密相连，下侧与P+集电极(8)的上侧紧密相连；N+集电极(9)的上侧与N型缓冲层(7)的上侧平齐，右侧与器件的右侧紧密相连，下侧与P+集电极(8)的上侧紧密相连；多晶硅层(13)将N+集电极(9)与反向导通MOS的栅极短接，实现了器件的低关断损耗；

LIGBT区域：从左至右分别设置P+发射极(1)、N+电子发射极(2)、发射极(15)、P‑body(3)、栅极(14)、N型漂移区(4)、二氧化硅绝缘层(5)、P型衬底(6)、N型缓冲层(7)、P+集电极(8)、集电极(12)；P+发射极(1)位于发射极(15)的下方，其左侧与器件的左侧齐平，右侧与N+电子发射极(2)的左侧紧密相连，下侧与P‑body(3)相连；N+电子发射极(2)位于发射极(15)和栅极(14)的下方，右侧和下侧被P‑body(3)完全覆盖；P‑body(3)的上侧与P+发射极(1)和N+电子发射极(2)的上侧齐平，右侧和下侧被N型漂移区(4)完全覆盖；N型漂移区(4)的上侧与P+发射极(1)、N+电子发射极(2)、栅极(14)、N型缓冲层(7)和P+集电极(8)的上侧平齐，下侧与二氧化硅绝缘层(5)的上侧紧密相连，左侧与器件的左侧平齐，右侧与器件右侧平齐；N型缓冲层(7)的上侧与器件的上侧平齐，右侧与器件的右侧平齐，左侧与下侧被N型漂移区(4)完全覆盖；P+集电极(8)位于集电极(12)的下侧，其上侧与器件的上侧平齐，右侧与器件的右侧平齐，左侧与下侧被N型缓冲层(7)完全覆盖，上述结构构成LIGBT双极型器件。

2.根据权利要求1所述的一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC‑LIGBT器件，其特征在于：LIGBT区域N型缓冲层(7)的右侧与反向导通MOS区域和低关断损耗MOS区域N‑base(11)的左侧相连。

3.根据权利要求1所述的一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC‑LIGBT器件，其特征在于：在正向导通阶段，无负阻效应；在反向导通阶段，当VGS,RC>VTH,反向导通MOS自动开启，器件实现反向导通；在关断时刻，器件满足VGS,FC>VTH，低关断损耗MOS开启，电子可以通过低关断损耗MOS抽取，降低了关断损耗。

4.根据权利要求1所述的一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC‑LIGBT器件，其特征在于：所述栅极(14)的材料包括掺杂多晶硅或铝。