1.一种集成自偏置PMOS的低功耗LIGBT器件，包括漂移区（3）、埋氧层（4）、衬底（5）、P型埋层（14）和阳极区，所述衬底（5）、埋氧层（4）和漂移区（3）自下而上依次设置；所述P型埋层（14）被漂移区（3）完全包裹；所述阳极区的上方与右侧与LIGBT器件平齐，其左侧和下方与漂移区（3）相邻；其特征在于：该器件还包括阴极P+区（1）、阴极P‑well区（2）、阴极N+区（6）、普通MOS氧化层（7）、普通MOS多晶硅栅极（8）、阴极MOS‑P区（9）、PMOS多晶硅栅极（10）和PMOS氧化层（11）；

所述阴极P+区（1）与阴极N+区（6）相邻，且两者均位于阴极P‑well区（2）上方；所述阴极P‑well区（2）下方与漂移区（3）相邻；所述普通MOS氧化层（7）左侧与阴极N+区（6）和阴极P‑well区（2）相邻，下方与漂移区（3）相邻，右侧与P型埋层（14）和自偏置PMOS区（15）相邻；所述普通MOS多晶硅栅极（8）位于普通MOS氧化层（7）中，被普通MOS氧化层（7）完全包裹；所述阴极MOS‑P区（9）位于普通MOS氧化层（7）和PMOS氧化层（11）之间；所述PMOS氧化层（11）右侧与漂移区（3）相邻，下方与P型埋层（14）相邻；所述PMOS多晶硅栅极（10）位于PMOS氧化层（11）中，被PMOS氧化层（11）完全包裹；

所述阴极P+区（1）、阴极P‑well区（2）、阴极N+区（6）、普通MOS氧化层（7）、普通MOS多晶硅栅极（8）以及部分的漂移区（3）组成普通MOS区（16）；

所述阴极MOS‑P区（9）、PMOS多晶硅栅极（10）、PMOS氧化层（11）以及部分的漂移区（3）和P型埋层（14）组成自偏置PMOS区（15）；所述阴极MOS‑P区（9）和PMOS多晶硅栅极（10）均与阴极电极相连。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗LIGBT器件，其特征在于：所述阳极区包括阳极P+区（12）和阳极N‑buffer区（13）；所述阳极P+区（12）被阳极N‑buffer区（13）包裹；所述阳极N‑buffer区（13）被漂移区（3）包裹。

3.根据权利要求1所述的一种低功耗LIGBT器件，其特征在于：所述普通MOS区（16）的源极为阴极N+区（6），漏极为漂移区（3），栅极为普通MOS多晶硅栅极（8），栅氧化层为普通MOS氧化层（7）。

4.根据权利要求1所述的一种低功耗LIGBT器件，其特征在于：所述自偏置PMOS区（15）的源极为P型埋层（14），漏极为阴极MOS‑P区（9），栅极为PMOS多晶硅栅极（10），栅氧化层为PMOS氧化层（11）。

5.根据权利要求1所述的一种低功耗LIGBT器件，其特征在于：所述P型埋层（14）与普通MOS氧化层（7）和PMOS氧化层（11）均直接接触。