1.太赫兹电控复合谐振可重构智能表面，其特征在于，包括自下而上逐层设置的金属底板、介质基板和相移结构层；

所述相移结构层包括以M×N正交阵列方式设置的相移单元，每一列相移单元都有阳极引出线和阴极引出线；

所述相移单元包括一个圆环形谐振环和谐振结构；

所述谐振环左右对称，并在圆环与对称轴的上下交汇处各设置有一个开口，形成彼此独立的左右两个半环；

所述谐振结构设置于圆环形谐振环的中央，谐振结构包括以左右对称方式分别设置于谐振环对称轴两侧的两个金属片，金属片的长边与对称轴平行，金属片通过金属连接条与本侧半环连接；两个金属片之间设置有掺杂异质线，掺杂异质线沿谐振环对称轴设置且与两个金属片等距，掺杂异质线与介质基板之间为欧姆贴片；

同一列中，各相移单元的掺杂异质线通过该列的阳极引出线连接并引出至阳极连接端，左侧半环通过一条阴极引出线连接至阴极连接端，右侧半环通过另一条阴极引出线连接至阴极连接端。

2.如权利要求1所述的太赫兹电控复合谐振可重构智能表面，其特征在于，所述金属底板的金属包括铝﹑银、金中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的太赫兹电控复合谐振可重构智能表面，其特征在于，所述介质基板的材质包括蓝宝石、高阻硅、InP、GaAs、碳化硅中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的太赫兹电控复合谐振可重构智能表面，其特征在于，所述M、N皆为大于2的整数。

5.如权利要求1所述的太赫兹电控复合谐振可重构智能表面，其特征在于，所述圆环形谐振环的圆心位于金属连接条的轴线上。

6.如权利要求1所述的太赫兹电控复合谐振可重构智能表面，其特征在于，所述金属片与金属连接条的连接点位于金属片的长边中点，金属连接条的轴线垂直于谐振环对称轴。

7.如权利要求6所述的太赫兹电控复合谐振可重构智能表面，其特征在于，所述金属片的形状为长方形。

8.如权利要求1所述的太赫兹电控复合谐振可重构智能表面，其特征在于，掺杂异质线的材料包括AlGaN、GaN、InGaN、GaN、AlGaAs、GaAs中的一种或多种。

9.如权利要求1所述的太赫兹电控复合谐振可重构智能表面，其特征在于，所述欧姆贴片的材料包括Ti、Al、Ni、Au中的一种或多种。