1.一种基于T型和E型超表面谐振结构的太赫兹调制器，包括介质基板（100），其特征在于，包括：谐振结构，所述谐振结构包括双“T”型谐振结构（300）以及双“E”型谐振结构（200），其中，所述双“T”型谐振结构（300）沿介质基板（100）的中心线镜面对称从而所述介质基板上（100）形成用于谐振的第一控制区域，所述双“E”型谐振结构（200）沿介质基板（100）的中心线镜面对称从而所述介质基板（100）形成用于谐振的第二控制区域；

所述双“T”型谐振结构（300）包括两个第一谐振结构，其中，任意一个所述第一谐振结构包括长金属臂以及短金属臂，所述短金属臂垂直连接于所述长金属臂中部从而第一谐振结构形成T型框，两个所述T型框的短金属臂相对设置从而超材料结构层表面形成第一控制区域；

所述双“E”型谐振结构（200）包括两个第二谐振结构，其中，任意一个所述第二谐振结构包括第一金属臂、两条第二金属臂以及第三金属臂，两条所述第二金属臂分别连接于所述第一金属臂的端部，所述第一金属臂中部连接所述第三金属臂，所述第二金属臂与所述第三金属臂相互平行从而第二谐振结构形成有半包围框，两个所述半包围框的开口相对设置从而超材料结构层表面形成第二控制区域；

调制开关，所述调制开关用于改变谐振点处太赫兹波的透射系数；在所述双“E”型谐振结构（200）的第二金属臂与对应一侧的双“T”型谐振结构（300）的长金属臂之间形成有用于放置所述调制开关的间隙，所述间隙的间距为25‑35 µm；其中，所述调制开关包括四个第一开关（510）以及两个第二开关（520），所述第一开关（510）分别设置于所述间隙处，所述第二开关（520）数分别设置于所述双“E”型谐振结构（200）的第一金属臂与第三金属臂连接间隙处，所述第一开关（510）的长度为25‑35 µm，所述第二开关（520）的长度为10‑15 µm；

其中，所述介质基板（100）的表面附着有超材料结构层，所述介质基板（100）、所述双“T”型谐振结构（300）、所述双“E”型谐振结构（200）以及所述调制开关均附着于所述超材料结构层。

2.根据权利要求1所述的一种基于T型和E型超表面谐振结构的太赫兹调制器，其特征在于，两个所述第一谐振结构以介质基板（100）的中心点为对称点互为镜面对称，其中，两条所述长金属臂长度为215‑243 µm，两条所述短金属臂的长度为130‑160 µm。

3.根据权利要求1所述的一种基于T型和E型超表面谐振结构的太赫兹调制器，其特征在于，第二金属臂间的间距为15‑30 µm，呈相互对称的两条第三金属臂间的间距为35‑45 µm。

4.根据权利要求1所述的一种基于T型和E型超表面谐振结构的太赫兹调制器，其特征在于，所述调制开关处添加有可控有源材料。

5.根据权利要求1所述的一种基于T型和E型超表面谐振结构的太赫兹调制器，其特征在于，所述介质基板（100）为碳化硅衬底，厚度为50 90 µm，相对电介常数为11.9。

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6.根据权利要求1所述的一种基于T型和E型超表面谐振结构的太赫兹调制器，其特征

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在于，所述超材料结构层的表面由金属Au构成，厚度为0.1 1 µm，电导率为 4.561×10。

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