1.太赫兹电控谐振切换式超表面相移装置，其特征在于，包括自下而上逐层设置的金属底板、介质基板和相移结构层，所述相移结构层包括以M×N正交阵列方式设置的相移单元，每个相移单元包括一个矩形开口谐振环，谐振环的开口位于其所在边的中点位置，在谐振环的开口处，谐振环的的两个端点各自与一个长方形金属条连接，连接点位于长方形金属条的长边的中心，长方形金属条长边垂直于开口所在的谐振环的边；在开口处的两个长方形金属条之间，介质基板的上表面设置有欧姆贴片，在欧姆贴片上方设置有掺杂异质线，掺杂异质线与两个长方形金属条平行且等距，M、N皆为大于2的整数；

在相移单元阵列中，每一列相移单元的两侧皆沿列线方向分别设置有一条阴极引出线和一条阳极引出线，每一列相移单元皆位于对应于该列的阴极引出线和阳极引出线之间；

各列中，相移单元的掺杂异质线连接至该列的阳极连接线，开口谐振环连接至该列的阴极连接线；

各阴极引出线皆与同一根阴极总线连接，阴极总线具有一个外部阴极连接端；各阳极引出线彼此独立。

2.如权利要求1所述的太赫兹电控谐振切换式超表面相移装置，其特征在于，掺杂异质线的材料为AlGaN、GaN、InGaN、GaN、AlGaAs或GaAs。

3.如权利要求1所述的太赫兹电控谐振切换式超表面相移装置，其特征在于，介质基板的材质为基板为蓝宝石、高阻硅、InP、GaAs或碳化硅。