1.一种光电探测器，其特征在于：包括玻璃衬底、银纳米颗粒涂层、SU‑8负性光刻胶层、微区电极、钙钛矿薄膜层，所述钙钛矿薄膜层为甲胺铅碘钙钛矿薄膜层，所述钙钛矿薄膜层中形成光致电荷后，分离电子和空穴的最大输运长度在5μm以下，所述微区电极为交错阵列结构。

2.根据权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于：所述SU‑8负性光刻胶层的厚度为20～100nm，所述钙钛矿薄膜层的厚度为0.5～5μm。

3.根据权利要求1所述的一种光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将玻璃衬底依次用丙酮、乙醇、去离子水进行超声清洗，干燥，紫外清洗；

步骤二，将银纳米颗粒旋涂至清洗后的玻璃衬底上，烘干，得到银纳米颗粒涂层覆盖的玻璃衬底；

步骤三，用环戊酮稀释好的SU‑8光刻胶在加热台上振荡溶解，再旋涂至银纳米颗粒涂层覆盖的玻璃衬底上，进行前烘处理，通过紫外光曝光，固化衬底，后烘，在银纳米颗粒涂层表面形成SU‑8负性光刻胶层；

步骤四，在步骤三所得物表面恒速蒸镀银薄膜，蒸镀完成后取出，旋涂RZJ‑304正性光刻胶，进行前烘处理，覆盖预制备掩膜版，进行曝光光刻，后烘后浸入显影液中，使微区图案显现，然后用银刻蚀液刻蚀银薄膜，最后浸入RZJ‑304正性光刻胶剥离液，在SU‑8负性光刻胶层表面形成微区电极；

步骤五，将摩尔比为1～1.5:1的PbI2和MAI溶于DMF中，在50～90℃下搅拌，得到钙钛矿溶液，将其旋涂在步骤四所得物上，在加热台上以80～120℃温度热退火10～30min，在微区电极、SU‑8负性光刻胶层表面形成甲胺铅碘钙钛矿薄膜层。

4.根据权利要求3所述的一种光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤三中，SU‑

8溶液光刻胶与环戊酮质量体积比为100～500mg:1mL。

5.根据权利要求3所述的一种光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤三中，旋涂转速为500～3000rpm，旋涂时间为5～45s。

6.根据权利要求3所述的一种光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤三中，前烘的温度为60～100℃，时间为5～15min。

7.根据权利要求3所述的一种光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤三中，后烘温度为50～100℃，后烘时间为5～15min。

8.根据权利要求3所述的一种光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤四中，蒸‑4 ‑4镀的真空度为2.0×10 ～8×10 Pa，沉积速率为 旋涂转速为1000～3000r/min，时间为20～40s。

9.根据权利要求3所述的一种光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤四中，前烘温度为50～100℃，时间为1～5min，曝光光刻时间为1～15s，后烘温度为50～100℃，时间为1～5min。

10.根据权利要求3所述的一种光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤五中，旋涂钙钛矿溶液每次取量20～150μL，旋涂转速为1000～2000r/min，时间为5～20s；再在2000～5000r/min转速下转10～30s，并在第15～30s滴加100～150μL的氯苯。