1.一种光电探测器阵列制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、首先对石英玻璃基底进行清洗，再对其表面进行处理；

S2、对组分为Ti3C2Tx的MXene胶体溶液进行制备，并将制备好的MXene溶液旋涂在S1处理后的石英玻璃基底上成膜；

S3、用激光直写对S2中得到涂覆有MXene薄膜的石英玻璃基底进行第一次沟道刻划；

S4、在S3处理后的石英玻璃基底上制备CsFAMAPbIBr有机‑无机杂化三阳离子的钙钛矿吸收层；

S5、采用激光直接对S4处理后的样品进行第二次刻划，去移除多余的钙钛矿吸收层；

S6、采用激光直写对S5处理后的样品进行第三次刻划，分离出像素单元，形成钙钛矿成像阵列。

2.按照权利要求1所述的一种光电探测器阵列制备方法，其特征在于，所述S4中制备钙钛矿吸收层的步骤为：先将1.3摩尔混有摩尔比为5％CsI和摩尔比为2.5％PbCl2的PbI2溶于DMF和DMSO混合溶液中作为前驱体溶液，所述DMF与DMSO的体积比为9:1，然后将前驱体溶液以1500转/秒的速度旋转在经S3处理后的石英玻璃基底上，旋涂时间为30秒，将所得的薄膜在70℃条件下退火1min；再将FAI、MABr、MAI、MACl按照FAI:MABr:MAI:MACl＝60mg:

2.974mg:4.296mg:6mg的比例溶于1mL异丙醇中，配置成溶液，以1700转/秒的速度旋涂在退火冷却后的石英玻璃基底上，旋涂时间为30秒，最后在150℃下退火15分钟。

3.按照权利要求1所述的一种光电探测器阵列制备方法，其特征在于，在S1中，对石英玻璃基底清洗完成后，需用紫外/臭氧对干燥的石英玻璃基底处理20分钟。

4.按照权利要求1所述的一种光电探测器阵列制备方法，其特征在于，在S2中，旋涂转速1800转/秒，转速加速度为600转/秒，旋涂总时间为20秒。

5.按照权利要求1所述的一种光电探测器阵列制备方法，其特征在于，在S3、S6中，两次所用的激光设置参数相同且为：532nm Nd:YAG激光器，功率为2W。

6.按照权利要求1所述的一种光电探测器阵列制备方法，其特征在于，在S5中，激光设置参数为：532nm Nd:YAG激光器，功率为0.25W。

7.按照权利要求1所述的一种光电探测器阵列制备方法，其特征在于，将S6制备的钙钛矿成像阵列用具有十字图案的近红外激光进行照射，测量所有像素单元的光电流大小，其‑2

中激光波长为808nm，功率为121.0μWcm 。