1.一种红外探测器，其特征在于，包括依次设置的有机衬底层、P电极层、P型纳米柱阵列层、无机n型多孔薄膜层和n电极；所述无机n型多孔薄膜层与所述P型纳米柱阵列层相互嵌套，形成有机 无机杂化结构，所述无机n型多孔薄膜层表面分散有量子点，所述P型纳米柱阵列层为三(4‑咔唑基‑9‑基苯基)胺纳米柱阵列层；所述无机n型多孔薄膜层包括Mn‑Co‑Ni‑O薄膜层，所述Mn‑Co‑Ni‑O薄膜层的厚度为30nm 120nm。

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2.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，所述有机衬底层包括聚对苯二甲酸乙二醇酯层、聚偏二氟乙烯层和聚二甲基硅氧烷层中的一种。

3.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，所述P型纳米柱阵列层的厚度为

300nm 800nm。

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4.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，所述无机n型多孔薄膜层，孔径为

400nm 1200nm。

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5.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，所述无机n型多孔薄膜层，中心间距为800nm 2500nm。

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6.根据权利要求1至5任一项所述的红外探测器，其特征在于，所述量子点包括Ag量子点、Pt量子点、Au量子点和Al量子点中的至少一种。

7.根据权利要求1至5任一项所述的红外探测器，其特征在于，所述量子点的粒径为1nm

5nm。

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8.一种制备如权利要求1至7任一项所述的红外探测器的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：通过磁控溅射，在含有硅衬底的AAO模板表面形成所述无机n型多孔薄膜层；

S2：在所述无机n型多孔薄膜层表面进行蒸镀，依次形成所述P型纳米柱阵列层和P电极层；

S3：在所述P电极层表面涂覆形成所述有机衬底层；

S4：用碱性溶液腐蚀去除所述AAO模板，剥离所述硅衬底；

S5：暗室中，将步骤S4得到的复合材料浸泡于量子点溶液中，蓝光照射，在所述无机n型多孔薄膜层表面生长量子点；

S6：在所述无机n型多孔薄膜层表面涂覆导电浆料，干燥后形成所述n电极，得到所述的红外探测器。