1.一种光热探测器，其特征在于：由基底层、介质层、第一纳米层和第二纳米层由下及上依次连接构成；

所述第一纳米层由热释电块和金属球相间连接构成，以热释电块开始，且以热释电块结束；所述第一纳米层两侧的热释电块分别设有第一电极和第二电极用于连接外电路；

所述第二纳米层为石墨烯薄膜层；所述金属球由贵金属材料制成。

2.根据权利要求1所述的光热探测器，其特征在于：所述介质层由二氧化硅材料制成；

所述石墨烯薄膜层为两层石墨烯；所述热释电块厚度为30 500nm；所述金属球直径为10~ ~

100nm；所述金属球直径不大于所述热释电块厚度；所述热释电块为矩形或者方形体；所述热释电块由锗化硅材料制成。

3.根据权利要求2所述的光热探测器，其特征在于：所述光热探测器还包括设于介质层下表面的第三纳米层；所述第三纳米层由金材料制成；所述第三纳米层的厚度为10 200nm。

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4.根据权利要求1-2所述任一光热探测器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1、准备基底：准备清洁干净的ITO玻璃作为基底层备用；

步骤2、蒸镀介质层：利用电子束蒸镀法在步骤1准备好的ITO玻璃上蒸镀二氧化硅，形成介质层；

步骤3、甩胶：用甩胶机在步骤2形成的介质层上涂覆PMMA光刻胶，厚度为设定的热释电块高度，待涂胶结束后将基底置于热板上烘干；

步骤4、曝光：用图形发生器设计所述第一纳米层图形，并用电子束曝光热释电块形状，得到曝光后的基底；

步骤5、显影定影：将步骤4曝光后的基底依次放入显影液和定影液中分别浸泡，然后取出烘干，所述PMMA光刻胶层上形成所述热释电块形状的孔穴；

步骤6、蒸镀锗化硅：将步骤5烘干的基底放入电子束真空蒸发镀膜机中蒸镀锗化硅，待蒸镀完成并冷却后拿出，步骤5中形成的孔穴已完全蒸镀满锗化硅，形成所述热释电块；

步骤7、剥离PMMA光刻胶：采用lift-off工艺，将步骤6中蒸镀锗化硅后的基底浸泡在丙酮中，待PMMA光刻胶完全溶解后取出；

步骤8、铺小球：将步骤7中剥离PMMA光刻胶的基底浸泡于含有链接剂的金属球溶液中不少于20min，保证金属球可以进入到热释电块之间，最后将基底拿出并放置在热板上烘干形成第一纳米层；

步骤9、铺第二纳米层：利用湿法转移将两层石墨烯薄膜铺于第一纳米层上并吹干，得到所述第二纳米层；

步骤10、镀电极：在第一纳米层两侧表面的热释电块上分别利用电化学方法镀上第一电极和第二电极即可得到所述光热探测器。

5.根据权利要求4所述的光热探测器制备方法，其特征在于：所述步骤3、步骤5和步骤8 中的烘干温度均不高于130℃；

所述步骤5中显影液由四甲基二戊酮与异丙醇以体积比为3：1配合制成。