1. 一种半导体发光器件，其特征在于，所述半导体发光器件包括基板和固定倒装于基板上方的半导体发光芯片；

所述基板的上表面上设有互不接触的第一导电型掺杂区域和第二导电型掺杂区域；所述第一导电型掺杂区域的一端设有第一电极，用于与电源正极连接，第二导电型掺杂区域的一端设有第二电极，用于与电源负极连接；

所述半导体发光芯片上设有第三电极和第四电极，其中，第三电极与基底上的第二导电型掺杂区域接触，第四电极与基底上的第一导电型掺杂区域接触。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述半导体发光芯片包括衬底和衬底下表面的外延层，外延层从上至下包括缓冲层、第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层和电流扩散层，第一导电型半导体层上引出第三电极，电流扩散层上引出第四电极。

3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于，第一导电型为n型，第二导电型为p型。

4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其特征在于，衬底为蓝宝石衬底，缓冲层为GaN，第一导电型半导体层为n型GaN，活性层为InGaN/GaN，第二导电型半导体层为p型GaN，电流扩散层为Ni和Ag，第三电极为Ti/Al合金，第四电极为Ni/Au合金。

5.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其特征在于，基板为本征Si或绝缘导热陶瓷，第一导电型掺杂区域为n型掺杂Si，第二导电型掺杂区域为p型掺杂Si，第一电极、第二电极均为Au。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，基板的下表面还设有散热件，所述散热件为导热金属、导热陶瓷。

7.权利要求1所述的半导体发光器件的制备方法，包括以下步骤：

A、在基板的一个表面上形成互不接触的第一导电型掺杂区域和第二导电型掺杂区域，然后在第一导电型掺杂区域的一端形成第一电极，在第二导电型掺杂区域的一端形成第二电极；

B、将半导体发光芯片固定倒装在基板上，使半导体发光芯片的第三电极与基板的第二导电型掺杂区域接触，半导体发光芯片的第四电极与基板的第一导电型掺杂区域接触。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在基板的一个表面上形成第一导电型掺杂区域和第二导电型掺杂区域的方法为离子注入法或沉积法。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，制备半导体发光芯片的方法为：在衬底上依次外延缓冲层、第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层，然后在第二导电型半导体层上形成电流扩散层，得到预制片；然后对预制片的电流扩散层的一面的部分区域进行刻蚀，至裸露出第一导电型半导体层；在刻蚀后裸露出的第一导电型半导体层表面形成第三电极，在未刻蚀区域的电流扩散层表面形成第四电极，得到所述半导体发光芯片。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，还包括在基板的另一个表面固定散热件的步骤，所述散热件为导热金属、导热陶瓷。