1.一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤（1）将金属镓源和清洗、吹干后的衬底放入反应舟内，反应舟放在石英反应管内；

步骤（2）封闭石英反应管，打开真空泵对石英管抽真空；当石英管真空度至1 Pa以下，打开混气罐阀门，通入惰性气体氩气作为运输载气；

步骤（3）加热石英管内的反应舟和衬底；当温度升至设置温度后，打开氧气和氮气阀门，调节氧气和氮气流量，让氧气和氮气通入石英管内参与反应；

步骤（4）打开射频电源，设置射频功率和生长时间，在衬底上沉积GaON薄膜，完成制备；

所述的镓源为金属镓颗粒，纯度为99.999%，氧气气流量范围为1 100 sccm，氮气气流~量范围为1 100 sccm，氩气气流流量范围10 100 sccm；

~ ~

衬底为（0001）面的蓝宝石衬底；

薄膜的沉积温度在700 ℃～1000 ℃；

射频功率在150 W～300 W。

2.如权利要求1所述的一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法，其特征在于，衬底用丙酮、无水乙醇、去离子水中的一种或多种进行超声清洗，然后高纯氮气干燥。

3.如权利要求2所述的一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法，其特征在于，将蓝宝石衬底的抛光面倒置于陶瓷舟内。

4.如权利要求1所述的一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法，其特征在于，放置镓源距离衬底表面4 cm‑12 cm。

5.一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜，其特征在于，采用权利要求 1‑4 任意一项所述的GaON外延薄膜的制备方法制备而成。