1.一种化学气相沉积工艺，其特征在于，包括：确定进行CVD反应时反应腔的设定压力；

将气体排放管路上设置的排气阀打开至第一角度，所述第一角度为进行CVD工艺时排气阀打开的第二角度的10％～90％；

在CVD反应腔内通入反应气体，至反应腔的压力达到设定压力；

调整所述排气阀打开的角度至第二角度，所述第二角度可使反应腔内气体压力保持在设定压力；

进行CVD工艺。

2.如权利要求1所述的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述第一角度为进行CVD工艺时排气阀打开的第二角度的20％～60％。

3.如权利要求2所述的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述第一角度为进行CVD工艺时排气阀打开的第二角度的30％～40％。

4.如权利要求1所述的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述第二角度为排气阀最大打开角度的13％～60％。

5.如权利要求4所述的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述排气阀的最大打开角度为

89°。

6.如权利要求1所述的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述第二角度在进行CVD工艺时根据反应腔内反应气体流量，反应产物的变化即时调整。

7.如权利要求1所述的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述排气阀为蝶阀。

8.如权利要求1所述的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述的CVD工艺为常压化学气相沉积、低压化学气相沉积、等离子体增强化学气象沉积或者高密度等离子体化学气相沉积。