1.半导体制程废气的加热处理装置，包括进料筒(1)、反应筒(2)和出料筒(3)，其特征在于，所述进料筒(1)中部设置有密封组件(4)，所述密封组件(4)包括上限位盘(5)和下限位盘(6)，所述上限位盘(5)和下限位盘(6)内部分别开设有第一环形槽(7)和第二环形槽(8)；

所述进料筒(1)和出料筒(3)靠近反应筒(2)的一端均嵌入固定连接有注射环(10)，所述注射环(10)内侧壁固定连接有雾化喷头(12)；

所述反应筒(2)内部中心处固定连接有安装盘(13)，所述安装盘(13)内部靠近边缘处贯穿固定连接有若干个加热元件(14)，所述安装盘(13)内部固定连接有网罩(15)，所述网罩(15)内部固定连接有格栅(16)。

2.根据权利要求1所述的半导体制程废气的加热处理装置，其特征在于，所述上限位盘(5)外侧壁与进料筒(1)内壁固定连接，所述下限位盘(6)外侧壁与进料筒(1)内壁滑动连接，所述进料筒(1)外侧壁开设有与下限位盘(6)对应的调节孔(9)。

3.根据权利要求1所述的半导体制程废气的加热处理装置，其特征在于，所述第一环形槽(7)和第二环形槽(8)均呈环形均匀分布，所述第一环形槽(7)和第二环形槽(8)呈交错设置。

4.根据权利要求1所述的半导体制程废气的加热处理装置，其特征在于，所述注射环(10)外侧壁固定连接有连接管(11)，所述连接管(11)与外部水源接通。

5.根据权利要求1所述的半导体制程废气的加热处理装置，其特征在于，所述雾化喷头(12)设置有若干个，若干个所述雾化喷头(12)喷射角度与水平面之间的倾角为四十五度。

6.根据权利要求1所述的半导体制程废气的加热处理装置，其特征在于，所述反应筒(2)顶部和底部分别与进料筒(1)和出料筒(3)螺纹连接。

7.根据权利要求1所述的半导体制程废气的加热处理装置，其特征在于，若干个所述加热元件(14)顶部和底部分别向进料筒(1)和出料筒(3)内部延伸。

8.根据权利要求1所述的半导体制程废气的加热处理装置，其特征在于，所述网罩(15)和格栅(16)均为耐腐蚀导热材质。