1.一种集成辅助耗尽栅的低功耗RC‑IGBT器件，其特征在于：包括阴极P+区(1)、阴极N+区(2)、阴极P‑base区(3)、漂移区(4)、阳极N‑buffer区(5)、阳极P‑collector区(6)、栅极氧化层(7)、多晶硅栅极(8)、主栅(9)、场氧化层(14)、发射极金属电极(15)、集电极金属电极(16)，其特征在于，该器件还包括辅助耗尽栅(10)、P柱(11)、阳极介质隔离槽(12)、阳极N‑collector(13)；

所述阴极P+区(1)与阴极N+区(2)相邻，它们共同位于阴极P‑base区(3)的上方；所述阴极P‑base区(3)的下方为漂移区(4)；所述栅极氧化层(7)与阴极P‑base区(3)、漂移区(4)、P柱(11)相邻；所述多晶硅栅极(8)被栅极氧化层(7)完全包裹，它们共同组成主栅(9)；所述阳极P‑collector区(6)位于阳极N‑buffer区(5)下方，阳极N‑buffer区(5)上方为漂移区(4)；

所述辅助耗尽栅(10)由栅极氧化层(7)、多晶硅栅极(8)组成；所述辅助耗尽栅(10)与主栅(9)相对，部分P柱(11)位于它两之间；

所述阳极N‑collector(13)在P柱(11)的下方；所述阳极氧化隔离槽(12)位于阳极N‑buffer区(13)与阳极P‑collector区(6)之间；

发射极金属电极(15)与阴极P+区(1)、阴极N+区(2)、P柱(11)直接接触，位于它们的上方；发射极金属电极(15)右侧是场氧化层(14)；集电极金属电极(16)与阳极P‑collector区(6)、阳极介质隔离槽(12)、阳极N‑collector(13)直接接触，位于它们的下方。

2.根据权利要求1所述的一种集成辅助耗尽栅的低功耗RC‑IGBT器件，其特征在于：所述主栅(9)与辅助耗尽栅(10)相连，其中主栅(9)提供电子的导电沟道，辅助耗尽栅(10)提供自适应的电阻。

3.根据权利要求1所述的一种集成辅助耗尽栅的低功耗RC‑IGBT器件，其特征在于：多晶硅栅极(8)掺N型杂质能够辅助耗尽P柱区域。

4.根据权利要求1所述的一种集成辅助耗尽栅的低功耗RC‑IGBT器件，其特征在于：所述辅助耗尽栅(10)在器件导通时耗尽P柱(11)形成自适应的电阻从而阻挡空穴，在器件关闭时辅助耗尽栅(10)不工作，自适应电阻消失，从而辅助抽取空穴。

5.根据权利要求3所述的一种集成辅助耗尽栅的低功耗RC‑IGBT器件，其特征在于：所述辅助耗尽栅(10)在器件导通时增强发射极侧的电导调制效应从而降低通态压降，在器件关闭时降低关断损耗。

6.根据权利要求1所述的一种集成辅助耗尽栅的低功耗RC‑IGBT器件，其特征在于：所述阳极氧化隔离槽(12)将阳极N‑buffer区(5)与阳极P‑collector区(6)同阳极N‑collector(13)隔离开来。

7.根据权利要求1所述的一种集成辅助耗尽栅的低功耗RC‑IGBT器件，其特征在于：所述栅极氧化层(7)的厚度根据需要调整。