1.一种用于全彩显示的RGB混合集成Micro‑LED芯片阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在图形化蓝宝石衬底上生长GaN蓝光外延层，所述GaN蓝光外延层由下至上依次包括叠置的低温GaN成核层、等电Al掺杂的GaN缓冲层、未掺杂的低温GaN外延层、GaN激光剥离+层、重掺杂的n‑GaN电子发射层、InGaN/GaN超晶格应力缓释层、InGaN/GaN多量子阱层、Mg+掺杂的p‑GaN电子阻挡层和重掺杂的p‑GaN空穴发射层；

S2、刻蚀所述GaN蓝光外延层以形成隔离沟槽和圆台结构GaN蓝光外延层；

S3、在所述GaN蓝光外延层表面涂覆一层光刻胶层；在所述光刻胶层激光光刻出N型电极接触沟槽的图案，显影后在暴露出的GaN蓝光外延层刻蚀出圆柱体结构的N型电极接触沟+槽；所述N型电极接触沟槽暴露出所述重掺杂的n‑GaN电子发射层；

S4、在所述N型电极接触沟槽内填充二氧化硅填料层；刻蚀掉部分所述二氧化硅填料+层，暴露出所述重掺杂n‑GaN电子发射层，形成管状结构的二氧化硅填料层；在所述管状结构的二氧化硅填料层内部填充金属填料；

S5、洗去残留的光刻胶层，在所述的GaN蓝光外延层表面涂覆一层光刻胶层；所述光刻胶层激光光刻出圆形N型电极和圆环形P型电极的图案，显影后在圆形N型电极和圆环形P型电极区域表面蒸镀一层ITO；

S6、在生长N型电极的圆形区域及生长P型电极的圆环形区域内蒸镀相应的金属层，得到N型金属反射电极和圆环形P型金属反射电极，得到GaN蓝光显示器件；

S7、在所述GaN蓝光外延层表面涂覆一层光刻胶层；在所述光刻胶层激光光刻出钙钛矿+绿光显示器件的图案，显影后暴露出n‑GaN电子发射层；

+

S8、在暴露出的所述n ‑GaN电子发射层表面依次蒸镀上ITO层，电子发射层，电子传输层，钙钛矿绿光发光层，空穴传输层，空穴发射层，P型电极；

S9、在所述GaN蓝光外延层表面涂覆一层光刻胶层；在所述光刻胶层激光光刻出有机物+红光显示器件的图案，显影后暴露出n‑GaN电子发射层；

+

S10、在暴露出的所述n‑GaN电子发射层表面依次蒸镀上ITO层，电子发射层，电子传输层，有机物红光发光层，空穴传输层，空穴发射层，P型电极；

S11、洗去残留的光刻胶层，再在外延层涂覆一层光刻胶层；在所述光刻胶层激光光刻+出钙钛矿绿光显示器件和有机物红光显示器件的N型电极的图案，显影后在暴露出的n ‑+GaN电子发射层表面；在所述暴露出的n ‑GaN电子发射层表面依次沉积用于形成欧姆接触的金属层和侧壁反射镜；洗去残留的光刻胶层后，沉积二氧化硅钝化层，得到钙钛矿绿光显示器件和有机物红光显示器件；

S12、在钙钛矿绿光显示器件和有机物红光显示器件的P型电极表面沉积铝金属反射镜；在GaN蓝光显示器件，钙钛矿绿光显示器件和有机物红光显示器件的各电极表面沉积金属焊盘；

S13、在外延层涂覆一层光刻胶层；在所述光刻胶层激光光刻出上述三种显示器件的隔+离沟槽的图案，显影后刻蚀掉暴露出的n ‑GaN电子发射层，暴露出低温GaN外延层，得到隔离沟槽，并洗去残留的光刻胶层，然后沉积二氧化硅钝化层，得到RGB混合集成Micro‑LED芯片；

S14、将所述RGB混合集成Micro‑LED芯片从生长衬底上剥离，并将其键合到驱动面板上得到用于全彩显示的RGB混合集成Micro‑LED芯片阵列。

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述步骤S1—S3中，所述等电Al掺杂的GaN缓冲层中，一部分Ga原子被Al原子替代，替代摩尔数比例为1％～2％。

+

3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述隔离沟槽深度略大于n‑GaN电子发射层和GaN激光剥离层的厚度之和。

4.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述金属填料层包括填料I层和填料II层。

5.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤S8和S10中，钙钛矿绿光显示器件的发光材料为CsPbBr3；有机物红光显示器件的发光材料为Ir(piq)2acac。

6.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述S13步骤中的隔离沟槽的深度略大+于n‑GaN电子发射层。

7.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述S14步骤中，采用激光剥离的方式将部分GaN激光剥离层分解掉。

8.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述RGB混合集成Micro‑LED芯片为倒装结构，出光面为剩余的GaN剥离层。