1.一种嵌入量子点的全彩Micro‑LED显示芯片，其特征在于，包括驱动面板、键合在驱动面板上且阵列排布的若干RGB像素单元；

每一RGB像素单元包括三个薄膜倒装Micro‑LED芯片，分别发射红光、绿光、蓝光；

所述薄膜倒装Micro‑LED芯片的n型半导体层表面制备有纳米孔图形阵列；在红光和绿光薄膜倒装Micro‑LED芯片的纳米孔图形阵列中分别注入红色量子点和绿色量子点；

在所述薄膜倒装Micro‑LED芯片表面制备有复合介质层；所述复合介质层包括第一介质层和第二介质层；

所述第一介质层的制备采用ALD技术，其厚度为1‑3nm；所述第二介质层的制备采用PECVD技术，其厚度为5‑10nm；

第一介质层和第二介质层的折射率不同。

2.根据权利要求1所述的嵌入量子点的全彩Micro‑LED显示芯片，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层的材料均为SiO2、Al2O3或AlON中的任一种。

3.根据权利要求2所述的嵌入量子点的全彩Micro‑LED显示芯片，其特征在于，所述纳米孔图形阵列的制备采用ICP刻蚀或纳米压印技术；所述纳米孔图形为圆柱形、圆锥形、圆台形或棱柱形中的任一种。

4.根据权利要求3所述的嵌入量子点的全彩Micro‑LED显示芯片，其特征在于，圆柱形纳米孔结构的直径为100‑500nm，深度为2‑3μm。

5.一种制备如权利要求1至4任一项所述嵌入量子点的全彩Micro‑LED显示芯片的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供具有完整结构的蓝光Micro‑LED外延片，所述蓝光Micro‑LED外延片结构自下而上依次包括衬底、无掺杂半导体层、n型半导体层、多量子阱有源层、p型半导体层；

S2：在所述外延片上刻蚀芯片隔离沟槽，采用ICP对所述外延片的多量子阱有源层、p型半导体层进行刻蚀，直至暴露出n型半导体层，形成直达n型半导体层的n型通孔；

S3：在所述外延片上沉积金属反射层，并刻蚀去除n型通孔中的金属反射层；

S4：在所述外延片上沉积绝缘层，刻蚀去除n型通孔中的绝缘层，并刻蚀p型电极接触沟槽，直至暴露出金属反射层；

S5：采用电子束蒸发技术在所述n型半导体层和金属反射层上沉积p电极和n电极，氮气氛围退火，形成Micro‑LED芯片晶圆片；

S6：提供驱动面板，将所述Micro‑LED芯片晶圆片键合至驱动面板表面；

S7：采用激光辐照剥离所述Micro‑LED芯片晶圆片的蓝宝石衬底；

S8：在所述n型半导体层刻蚀纳米孔图形阵列，在红光Micro‑LED芯片和绿光Micro‑LED芯片的纳米孔图形阵列中分别注入红色量子点和绿色量子点；

S9：在所述芯片上沉积第一介质层和第二介质层，在所述芯片隔离沟槽中填充吸光材料。