1.一种全彩化Micro‑LED显示面板，其特征在于，包括：驱动面板、三基色Micro‑LED芯片阵列、曲面反射镜阵列和封装胶；所述三基色Micro‑LED芯片阵列、所述曲面反射镜阵列均置于所述驱动面板上；

所述三基色Micro‑LED芯片阵列包括若干个倒装红光Micro‑LED芯片、倒装绿光Micro‑LED芯片和倒装蓝光Micro‑LED芯片；所述曲面反射镜阵列包括若干个曲面反射镜，若干个所述曲面反射镜形成空腔阵列，所述空腔阵列的内壁上沉积有反射层；所述空腔阵列中依次放置有所述倒装红光Micro‑LED芯片、所述倒装绿光Micro‑LED芯片和所述倒装蓝光Micro‑LED芯片；所述封装胶填充于所述空腔阵列中，且所述封装胶覆盖Micro‑LED芯片和所述曲面反射镜；

所述倒装红光Micro‑LED芯片、所述倒装绿光Micro‑LED芯片和所述倒装蓝光Micro‑LED芯片中的DBR反射层均采用变厚度的高反射全角DBR反射层；

所述变厚度的高反射全角DBR反射层为折射率不同的两种材料交替排列组成的周期性薄膜；

所述变厚度的高反射全角DBR反射层为多对由高折射率材料和低折射率材料组成的叠层结构，各叠层结构中的高折射率材料和低折射率材料的厚度满足以下条件：nHtH=nLtL=λ/4；

其中，nH和nL分别是高折射率材料的折射率和低折射率材料的折射率，tH和tL分别是高折射率材料的厚度及低折射率材料的厚度，λ为叠层结构的中心反射波长；

所述叠层结构的对数大于等于14对，各叠层结构的中心反射波长为从红光、绿光到蓝光波段；其中，红光波段为620 nm到770 nm，绿光波段为492 nm到590 nm，蓝光波段为390 nm到492 nm；

所述高折射率材料采用Ti3O5，所述低折射率材料采用SiO2；所述变厚度的高反射全角DBR反射层包括14对Ti3O5/SiO2叠层结构，各叠层结构的中心反射波长依次为：689 nm、647 nm、645 nm、631 nm、619 nm、619 nm、585 nm、543 nm、502 nm、497 nm、464 nm、437 nm、433 nm和390 nm；

所述变厚度的高反射全角DBR反射层的反射率大于90％。

2.根据权利要求1所述的全彩化Micro‑LED显示面板，所述空腔阵列的内壁上沉积的所述反射层对红光、绿光和蓝光波段的反射率均大于90%；

所述空腔阵列的内壁上沉积的所述反射层由金属反射层和防氧化层构成，所述金属反射层的厚度为100～200nm，所述防氧化层的厚度为200～400nm。

3.根据权利要求1所述的全彩化Micro‑LED显示面板，其特征在于，所述空腔阵列中的每个空腔为内壁成圆弧状的碗状结构，所述碗状结构的顶部与底部之间的直径差为10 μm~

20 μm，所述碗状结构的下部圆形直径大于Micro‑LED芯片的对角线长度，所述碗状结构的下表面与所述驱动面板接触。

4.一种如权利要求1‑3中任一项所述的全彩化Micro‑LED显示面板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、获取具有完整结构的倒装红光Micro‑LED芯片、倒装绿光Micro‑LED芯片和倒装蓝光Micro‑LED芯片；

步骤2、将所述倒装红光Micro‑LED芯片、所述倒装绿光Micro‑LED芯片和所述倒装蓝光Micro‑LED芯片依次键合到驱动面板上，形成三基色Micro‑LED芯片阵列；两个相邻的Micro‑LED芯片的横向间距大于芯片长度，两个相邻的Micro‑LED芯片的纵向间距大于芯片宽度；

步骤3、将若干个经过镜面抛光的封装模具分别覆盖于所有的Micro‑LED芯片上，在所述封装模具的两侧放置限位板，向每个所述封装模具中注入封装胶，封装胶将被注入到所述封装模具与Micro‑LED芯片之间的空隙中，使其完全覆盖Micro‑LED芯片，待所述封装胶完全凝固后，移走所述限位板和封装模具；

步骤4、在所述驱动面板上旋涂光刻胶，使所述光刻胶均匀分布在所述驱动面板上，采用激光直写在所述光刻胶的表面进行灰度光刻形成空腔阵列，在所述空腔阵列的内壁上沉积反射层，得到曲面反射镜阵列；

步骤5、在曲面反射镜及Micro‑LED芯片形成的腔体，以及Micro‑LED芯片和曲面反射镜的上侧填充封装胶，加热固化后得到全彩化Micro‑LED显示面板。