1.一种MXene/NiO异质结的突触器件，其特征在于，包括：基片，所述基片中设置有底部电极，其中，所述基片的上顶面暴露有所述底部电极；

覆盖所述基片部分区域的MXene/NiO异质结层，所述MXene/NiO异质结层包括MXene层和NiO层，所述部分区域为基片对应的区域中除底部电极的其他区域；

位于所述MXene/NiO异质结层顶面的顶部电极。

2.如权利要求1所述的一种MXene/NiO异质结的突触器件，其特征在于，所述顶部电极的材料为金、银、铜、铝、铟锡氧化物中的一种。

3.如权利要求1所述的一种MXene/NiO异质结的突触器件，其特征在于，所述基片为FTO导电玻璃或ITO导电玻璃。

4.一种制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1‑3任一项所述的MXene/NiO异质结的突触器件，包括：获取基片，所述基片的上顶面暴露有底部电极，所述底部电极设置于所述基片的内部；

在所述基片的上顶面旋涂NiO前驱体溶液，处理后生成NiO薄膜；

在所述NiO薄膜的上顶面旋涂MXene前驱体溶液，处理后生成MXene薄膜；

去除部分区域的MXene薄膜和NiO薄膜，以暴露出所述基片上的底部电极，形成MXene/NiO异质结层；

在所述MXene/NiO异质结层上电镀形成顶部电极。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述处理后生成NiO薄膜，包括：在所述基片的上顶面旋涂NiO前驱体溶液，确定NiO凝胶湿膜，其中，NiO前驱体溶液由乙酸镍四水合物溶于有机溶剂中制备而成，所述有机溶剂为冰乙酸、乙二醇甲醚、乙酰丙酮或乙二醇中的至少一种；

对所述NiO凝胶湿膜依次进行预设次数的薄膜处理，得到初始NiO薄膜，所述薄膜处理的处理流程包括烘干、热解、预退火、重复旋涂；

基于所述初始NiO薄膜，在退火温度范围内进行退火处理，生成NiO薄膜。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述乙酸镍四水合物和有机溶剂的制备比范围为：0.01mol：15mL～0.01mol：25mL。

7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述处理后生成MXene薄膜，包括：在所述基片的上顶面旋涂MXene前驱体溶液，确定MXene凝胶湿膜，其中，MXene前驱体溶液为基于氢氟酸湿法剥离的碳化钛胶体水溶液；

对所述MXene凝胶湿膜依次进行预设次数的薄膜处理，得到初始MXene薄膜，所述薄膜处理的处理流程包括烘干、热解、预退火、重复旋涂；

基于所述初始MXene薄膜，在退火温度范围内进行退火处理，生成MXene薄膜。

8.如权利要求5或7所述的制备方法，其特征在于，所述旋涂至少包括第一旋涂和第二旋涂，第一旋涂的转速为500～800转/分，第二旋涂的转速为2000～3000转/分。

9.如权利要求5或7所述的制备方法，其特征在于，所述预设次数的次数范围为3～6次，所述烘干对应的烘干温度范围为50～100℃；所述热解对应的热解温度范围为150～200℃，所述热解的时间区间为4～10min；所述预退火对应的预退火温度范围为300～400℃，所述预退火的时间区间为5～10min；所述退火对应的退火温度范围为600～700℃，所述退火的时间区间为10～15min。

10.权利要求1‑3任一项所述的MXene/NiO异质结的突触器件或权利要求4‑9所述制备方法制备得到的MXene/NiO异质结的突触器件在人工神经网络系统领域中的应用。