1.一种蘑菇型结构神经突触仿生器件，是采用0.13 μm CMOS工艺制备而得的蘑菇型结构，其特征在于，该器件结构自下至上依次包括Si(100)基片制备的衬底、Al材料底电极、SiO2中间介质层、在中间介质层上形成的W加热电极、Ti‑Zn‑Sb存储介质层、TiN粘附层和Al材料顶电极；

Ti‑Zn‑Sb存储介质层材料由Ti、Zn、Sb三种元素组成，其化学组成符合化学式 Ti0.14(Zn15Sb85)0.86；

以Ti0.14(Zn15Sb85)0.86相变材料作为神经突触仿生器件中的存储介质，可以在5~500 ns电信号脉冲宽度作用下实现多态阻值之间的转换，其中间态电阻值能够提供8 bit的分辨率，开关电阻差异可达2个数量级；

W加热电极为圆柱体结构，其直径为150‑250 nm、高为300‑600 nm；TiN粘附层厚度为

15‑25 nm；Ti‑Zn‑Sb存储介质层厚度为30 100 nm，Ti‑Zn‑Sb存储介质层的直径大于W加热~电极的直径。

2. 如权利要求1所述的一种蘑菇型结构神经突触仿生器件，其特征在于，该神经突触仿生器件的单元尺寸为长50 μm、宽50 μm、高1 μm。