1.一种NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列在室温气体传感中的应用，其特征在于，所述NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列在绿光激发下NiO/CdS异质结阵列对三乙胺的室温高选择性检测；

NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列包括衬底以及原位生长在衬底表面的NiO/CdS异质结阵列；所述衬底为Al2O3气敏基片；所述NiO/CdS异质结阵列由NiO纳米片和CdS纳米颗粒构成，其中NiO纳米片为垂直交错生长的阵列结构，CdS纳米颗粒均匀的分散在NiO多孔纳米片表面；

所述NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列中NiO纳米片的横向尺寸为5 μm～10 μm，CdS纳米颗粒的尺寸为10 nm～100 nm。

2.一种权利要求1所述的NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：首先采用水热法结合退火处理在Al2O3气敏基片表面生长NiO多孔纳米片阵列，然后采用溶剂热法进一步在NiO多孔纳米片阵列表面原位生长CdS 纳米颗粒，得到最终产物NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，水热法结合退火处理在Al2O3气敏基片表面生长NiO多孔纳米片阵列具体包括以下步骤：将硝酸镍、氟化铵和尿素溶于水中，搅拌0.2 h 1 h得到反应液，然后向反应液中加入~Al2O3气敏基片进行水热反应，反应时间为5 h～10 h，反应温度为100 ℃～120 ℃，反应结束后对Al2O3气敏基片进行洗涤，干燥，然后进行退火处理，退火温度为450 ℃～600 ℃，退火时间为1 h～3 h，退火处理结束后得到NiO多孔纳米片阵列。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，硝酸镍、氟化铵和尿素的摩尔比为1：3

5：4 6。

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5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，溶剂热法进一步在NiO多孔纳米片阵列表面原位生长CdS 纳米颗粒具体步骤为：将醋酸镉和硫脲依次溶解在水和乙二醇溶液中，混匀，得到混合液，然后将NiO多孔纳米片阵列浸入混合溶液中进行溶剂热反应，反应温度为140 ℃～180 ℃，反应时间为15 h～30 h，反应结束后对NiO多孔纳米片阵列进行洗涤，干燥，最终得到NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，醋酸镉和硫脲的摩尔比为1：1。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，水和乙二醇溶液的体积比为1：1～2。