1.一种减反射膜，其用于PERC晶体硅太阳能电池片，所述PERC晶体硅太阳能电池片含有晶体硅基体，其特征在于：所述减反射膜包括依次设置在所述晶体硅基体正面上的氧化硅薄膜层、低折射率超薄氮化硅覆盖层和正面氮化硅钝化膜层，所述低折射率超薄氮化硅覆盖层的折射率为2.02-2.06，厚度为0.5-6nm，所述正面氮化硅钝化膜层的折射率不小于所述低折射率超薄氮化硅覆盖层的折射率；

所述正面氮化硅钝化膜层包括从内至外依次设置的折射率依次减小的正面第一层氮化硅钝化膜层、正面第二层氮化硅钝化膜层和正面第三层氮化硅钝化膜层；所述正面第一层氮化硅钝化膜层的折射率为2.26-2.30，所述正面第二层氮化硅钝化膜层的折射率为2.07-2.10，所述正面第三层氮化硅钝化膜层的折射率为2.03-2.06；

所述正面第一层氮化硅钝化膜层的厚度为18-24nm，所述正面第二层氮化硅钝化膜层的厚度为42-48nm，所述正面第三层氮化硅钝化膜层的厚度为13-19nm；

所述减反射膜还包括依次设置在所述晶体硅基体背面上的氧化铝薄膜层和背面氮化硅钝化膜层；

所述氧化铝薄膜层的厚度为11-15nm，折射率为1.55-1.59；

所述背面氮化硅钝化膜层包括从内至外依次设置的背面第一层氮化硅钝化膜层和背面第二层氮化硅钝化膜层，所述背面第一层氮化硅钝化膜层的厚度为15-21nm，折射率为2.29-2.33，所述背面第二层氮化硅钝化膜层的厚度为67-73nm，折射率为1.97-2.02。

2.根据权利要求1所述的减反射膜，其特征在于：所述低折射率超薄氮化硅覆盖层的折射率为2.03-2.04，厚度为2-4nm。

3.根据权利要求1所述的减反射膜，其特征在于：所述氧化硅薄膜层的折射率为1.46-1.50，厚度为1-7nm。

4.根据权利要求1所述的减反射膜，其特征在于：所述晶体硅基体为单晶硅片。

5.一种制备权利要求1-4任一项所述减反射膜的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：1)对所述晶体硅基体进行预处理；

2)通过干氧工艺在所述晶体硅基体的正面生长氧化硅薄膜层；

3)采用等离子体增强化学气相沉积方法在所述晶体硅基体的背面依次沉积氧化铝薄膜层和背面氮化硅钝化膜层；

4)采用等离子体增强化学气相沉积方法在所述晶体硅基体的正面依次沉积低折射率超薄氮化硅覆盖层和正面氮化硅钝化膜层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：1)对所述晶体硅基体进行制绒、扩散制结和去磷硅玻璃处理；

2)在热氧化设备中通过干氧工艺在所述晶体硅基体的正面生长氧化硅薄膜层；

3)以三甲基铝和二氧化氮为原料，采用等离子体增强化学气相沉积在所述晶体硅基体的背面沉积氧化铝薄膜层；以氨气和硅烷为原料，采用等离子体增强化学气相沉积在所述晶体硅基体的背面依次沉积背面第一层氮化硅钝化膜层和背面第二层氮化硅钝化膜层；

4)以氨气和硅烷为原料，采用等离子体增强化学气相沉积依次在所述晶体硅基体的正面沉积所述低折射率超薄氮化硅覆盖层、正面第一层氮化硅钝化膜层、正面第二层氮化硅钝化膜层和正面第三层氮化硅钝化膜层。

7.一种PERC晶体硅太阳能电池片，其特征在于：所述PERC晶体硅太阳能电池片包括权利要求1-4任一项所述的减反射膜。

8.一种制备权利要求7所述的PERC晶体硅太阳能电池片的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：在所述减反射膜的背面进行激光开孔，使用丝网印刷法分别在所述减反射膜的正面和背面印刷银和铝栅线，烧结所述减反射膜形成金属电极片。