1.一种太阳能电池片的减反射膜,其特征在于,所述减反射膜的成分主要为SiNx:H,减反射膜中距离减反射膜所依附的硅片表面为T处的SiNx:H中的X满足如下关系:-2 -4 2 -6 3 -8 4
X=a-1.589×10 T+3.728×10 T-4.072×10 T+1.535×10 T ;
其中,a为减反射膜与硅片接触的底面中的氮硅比,1.00≤a≤2.0。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池片的减反射膜,其特征在于,1.20≤a≤1.60。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池片的减反射膜,其特征在于,所述减反射膜的厚度为50~100nm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池片的减反射膜,其特征在于,所述减反射膜的折射率从底面到顶面呈连续变化,所述底面的折射率为2.10~3.00;所述顶面的折射率为
1.90~2.06。
5.一种太阳能电池片的减反射膜的制备方法,其特征在于,包括以SiH4和NH3为反应源,在原料硅片表面沉积SiNx:H减反射膜;
所述SiH4和NH3的流量比R呈递减趋势,沉积的减反射膜距离硅片表面为T处的R满足如下关系:-2 -3 2 -6 3 -8 4
R=β-5.0×10 T+1.08×10 T-9.25×10 T+2.6×10 T,其中,β为起始SiH4和NH3的流量比,1.0≤β≤1.5;
制得太阳能电池片的减反射膜,减反射膜中距离减反射膜所依附的硅片表面为T处的SiNx:H中的X满足如下关系:-2 -4 2 -6 3 -8 4
X=a-1.589×10 T+3.728×10 T-4.072×10 T+1.535×10 T,其中,a为减反射膜与硅片接触的底面中的氮硅比,1.00≤a≤2.0。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池片的减反射膜的制备方法,其特征在于,所述减反射膜的制备包括将原料硅片于流量比呈递减趋势的SiH4和NH3的气氛下移动,所述原料硅片移动的速率为130-190cm/min。
7.根据权利要求5所述的太阳能电池片的减反射膜的制备方法,其特征在于,所述SiH4和NH3的总流量为1000~7000sccm。
8.根据权利要求5所述的太阳能电池片的减反射膜的制备方法,其特征在于,所述沉积的方法包括等离子体增强型化学气相沉积法。
9.根据权利要求5所述的太阳能电池片的减反射膜的制备方法,其特征在于,所述沉积的温度为350℃~450℃。