1.一种制备晶硅纳米结构减反射层的方法，其特征在于，选择低电阻率的p型硅衬底，将其浸入在含有氧化剂以及银离子的溶液中进行通电腐蚀，通过调节各步工艺参数，获得微观结构为百纳米到微米量级的晶硅纳米结构减反射层；其中，所述的低电阻率指所述的p型硅衬底的电阻率小于5Ω·cm，所述腐蚀溶液中含有氢氟酸，硝酸银，双氧水以及去离子水，其浓度分别为HF＝0.5mol/L，AgNO3＝1*10-4mol/L，H2O2＝3mol/L。

2.根据权利要求1所述的制备晶硅纳米结构减反射层的方法，其特征在于所述的通电腐蚀是在晶硅正表面施加均匀的电场，晶硅背表面不接触权利要求1中所述的腐蚀液，通电2

腐蚀的电流密度为30mA/cm，通电腐蚀的时间为30分钟。