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专利号: 2009101095648
申请人: 比亚迪股份有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:无效专利
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-09-06
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种太阳能电池减反射膜,其包括沉积在硅片正表面的氮化硅薄膜,所述氮化硅薄膜的平均折射率为2.1-2.3,平均反射率为1%-10%。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池减反射膜,其特征在于:所述太阳能减反射膜的厚度为50-90nm。

3.一种如权利要求1所述的太阳能电池减反射膜的制备方法,其包括第一次镀膜、冷却、第二次镀膜;其中镀膜包括前钝化、沉积氮化硅、后钝化。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池减反射膜的制备方法,其特征在于:其中,第一次镀膜时间为第二次镀膜时间的0.01-1倍;所述镀膜时间是指镀膜中沉积氮化硅的时间。

5.根据权利要求3所述的太阳能电池减反射膜的制备方法,其特征在于:所述前钝化和后钝化的时间比为0.1-10。

6.根据权利要求3所述的太阳能电池减反射膜的制备方法,其特征在于:所述钝化包括抽真空至4Pa以下,升温至300-500℃并保持恒温;然后通入氨气,高频放电。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池减反射膜的制备方法,其特征在于:所述高频放电的电源功率为1000-5000W。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池减反射膜的制备方法,其特征在于:所述氨气的流量为1000-5000sccm。

9.根据权利要求3所述的太阳能电池减反射膜的制备方法,其特征在于:所述沉积氮化硅包括通入SiH4和NH3,高频放电,进行沉积;其中SiH4和NH3的流量比为1∶2-1∶12。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池减反射膜的制备方法,其特征在于:沉积氮化硅的温度为300-500℃,压强为100-500Pa。