1.一种太阳能电池减反射膜，其包括沉积在硅片正表面的氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜的平均折射率为2.1-2.3，平均反射率为1％-10％。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池减反射膜，其特征在于：所述太阳能减反射膜的厚度为50-90nm。

3.一种如权利要求1所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其包括第一次镀膜、冷却、第二次镀膜；其中镀膜包括前钝化、沉积氮化硅、后钝化。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于：其中，第一次镀膜时间为第二次镀膜时间的0.01-1倍；所述镀膜时间是指镀膜中沉积氮化硅的时间。

5.根据权利要求3所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于：所述前钝化和后钝化的时间比为0.1-10。

6.根据权利要求3所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于：所述钝化包括抽真空至4Pa以下，升温至300-500℃并保持恒温；然后通入氨气，高频放电。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于：所述高频放电的电源功率为1000-5000W。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于：所述氨气的流量为1000-5000sccm。

9.根据权利要求3所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于：所述沉积氮化硅包括通入SiH4和NH3，高频放电，进行沉积；其中SiH4和NH3的流量比为1∶2-1∶12。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于：沉积氮化硅的温度为300-500℃，压强为100-500Pa。