1.一种晶圆的切割方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一半导体晶圆（100），所述第一半导体晶圆（100）包括多个呈阵列排布的芯片区域（101），以及围绕每个所述芯片区域（101）的切割区域（102）；

对所述第一半导体晶圆（100）进行第一刻蚀处理，以在每个所述芯片区域（101）的上表面形成多个分立设置的塑封固定槽（201）；

对所述第一半导体晶圆（100）进行第二刻蚀处理，以在每个所述芯片区域（101）的上表面形成多个分立设置的热扩散槽（202），使得相邻两个所述塑封固定槽（201）之间的热扩散槽（202）的个数不小于两个；

第二刻蚀处理之后，对所述第一半导体晶圆（100）进行第一切割处理，以在相邻两个所述芯片区域（101）之间的所述切割区域（102）中形成两个镂空部，且两个所述镂空部之间的切割区域（102）未被切割处理而作为第一固定部（1021），所述第一固定部（1021）连接相邻的两个所述芯片区域（101）；

对所述第一半导体晶圆（100）进行塑封处理，以形成塑封层（300），所述塑封层（300）包裹每个所述芯片区域101，且填满所述镂空部、所述塑封固定槽（201）和所述热扩散槽（202）；去除所述热扩散槽（202）中的塑封料，接着在所述热扩散槽（202）中沉积金属材料，以形成导热块（400）；

再次沿着所述切割区域（102）对第一半导体晶圆（100）进行第二切割处理，以形成多个分离的单芯片封装体（500）；

其中，所述热扩散槽（202）比所述塑封固定槽（201）深10‑100微米。

2.根据权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，对所述第一半导体晶圆（100）进行第一刻蚀处理之前，还包括：提供一承载基板，将所述第一半导体晶圆（100）设置在所述承载基板上，使得所述芯片区域（101）的有源面朝向所述承载基板。

3.根据权利要求2所述的晶圆的切割方法，其特征在于：对第一半导体晶圆（100）进行第二切割处理之后，去除所述承载基板，以形成多个单芯片封装体（500）。

4.根据权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于：沿着所述切割区域（102）对第一半导体晶圆（100）进行第二切割处理时，切割所述塑封层（300）和所述第一固定部（1021），进而使得每个所述单芯片封装体（500）中的第一固定部（1021）暴露于所述塑封层（300）。

5.一种单芯片封装体（500），其特征在于，所述单芯片封装体（500）采用权利要求1‑4任一项所述的晶圆的切割方法切割形成的。